11月8日，据国星光电官微消息，国星光电子公司风华芯电近日开发出基于扇出面板级封装的D-mode氮化镓半桥模块。据介绍，该模块相对于传统键合线框架封装，模块体积减少超67％，电路板布板面积降低30%。
source：国星光电
该模块采用风华芯电自主研发的扇出面板级封装形式，其通过铜球键合工艺实现氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）和硅（Si MOS）芯片的凸点结构，借助再布线层（RDL）的镀铜工艺实现互连，达到4个功率管有效互连效果，并形成半桥拓扑结构，实现模块内部结构的高密度集成，减少产品体积，提升性能。
为了验证模块的性能，风华芯电将基于扇出面板级封装的氮化镓半桥模块应用于100W开关电源中，该开关电源整体尺寸为60×50×27mm，体积有效减少，且电源峰值效率可达到95%。此外，该模块与常规分立封装产品对比，开通速度提升17.59%，开通损耗下降10.7%。
据悉，半导体封装技术可分为基板型封装和晶圆级封装，基板型封装里面产品有IC、MOS、功率器件等封装类型，国星光电子公司风华芯电业务涉及基板型封装的功率器件，已具备第三代半导体功率器件的封装量产能力。
在第三代半导体领域，国星光电已完成氮化镓基功率器件外延片的产品开发；正在发力第三代半导体封测技术，推出了低杂感碳化硅封装系列产品、集成化GaN-IC产品，其中SiC-SBD产品已获AEC-Q101车规级认证，碳化硅器件T0-247—2L通过了工艺验证，具备量产能力。
根据TrendForce集邦咨询最新《2024全球GaN Power Device市场分析报告》显示，2023年全球GaN功率元件市场规模约2.71亿美元（约19.45亿人民币），至2030年有望上升至43.76亿美元（约314.13亿人民币），CAGR（复合年增长率）高达49%。其中非消费类应用比例预计会从2023年的23%上升至2030年的48%，汽车、数据中心和电机驱动等场景为核心。（来源：国星光电，集邦化合物半导体整理）
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