台湾应用晶体:8英寸碳化硅最快年底送样

作者 | 发布日期 2024 年 10 月 14 日 17:50 | 分类 企业

9月5日,据台媒报道,台湾大立光电集团控股子公司台湾应用晶体(下文简称“应用晶体”)生产碳化硅(SiC),公司旗下6英寸碳化硅预计10月送样,8英寸产品最快年底送样。

资料显示,台湾应用晶体成立于2012年3月,实收资本额为3亿元新台币(折合人民币约6600万元)。企业前期主做晶体设备,后逐步发展材料开发碳化硅,2022年底正式转型材料开发厂。

2023年7月,应用晶体与台湾中山大学签订价值5000万新台币(折合人民币约1099万元)的技术转移合同,合约时长5年。

根据合同,台湾中山大学将6英寸碳化硅晶体相关技术移转至台湾应用晶体公司及其所属集团,以每年1千万专属授权的买断合约形式进行。双方于未来5年在6英寸、8英寸大尺寸的导电型(N-type)与半绝缘型4H、6H碳化硅单晶,都将携手合作。

图片来源:拍信网正版图库

据悉,大立光集团早在几年前就对材料相关领域进行评估及布局,经过评估第三代半导体材料后,最终选择投资碳化硅领域的台湾应用晶体,并于2023年7月投资,目前持股超70%,是该公司最大股东。

台湾应用晶体总经理林谓昌指出,6英寸碳化硅预计10月送样,12月底至明年1月送样8英寸碳化硅,产能规划上则视客户届时的需求为主。

长晶炉部份,台湾应用晶体在明年6英寸及8英寸正式量产后,也会投入外延,循长晶模式,规划明年下半年先买设备,预计2026年量产。

此外,台湾应用晶体也正开发第四代半导体材料氧化镓。林谓昌说,氧化镓与成大一起合作开发,目前正处于初步阶段,利用导膜(EFG)法技术透过虹吸现象生产氧化镓。鉴于电压越高材料被击穿毁损机会越大,氧化镓可能承受电压及被击穿损毁都优于碳化矽,因此台湾应用晶体也积极往这块领域发展。(财报快讯、集邦化合物半导体整理)

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