9月29日，据武汉鑫威源电子科技有限公司（以下简称：鑫威源电子）官微消息，鑫威源电子近日在高性能氮化镓半导体激光器芯片方面取得重大技术突破，同时氮化镓半导体激光器芯片产线完成通线试产。
source：鑫威源电子
据悉，氮化镓激光器芯片是一种基于氮化镓材料制成的激光器芯片。这种芯片利用氮化镓的优异光电特性，具有高功率、高速光电转换能力，能够在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下产生紫光激光。
氮化镓激光器芯片的研发成功，不仅解决了传统激光器在高温、高功率应用中的限制，还为光电领域带来了新的技术突破。特别是在紫光激光技术方面，氮化镓激光器芯片能够在更广泛的波长范围内产生高质量的激光输出，为光电显示、光存储、光通信等领域提供了新的解决方案。
官网资料显示，鑫威源电子从事氮化镓半导体激光器相关材料、芯片、封装等的设计与开发，以及产品的研发、制造和销售，致力于实现国产氮化镓半导体激光器的产业化。
据悉，鑫威源电子投资打造的大功率氮化镓半导体激光器产业化项目，于今年4月在武汉市江夏区大桥智能制造产业园完成厂房建设，无尘车间内的恒温恒湿、净化、水处理及安全系统相继达标并投入使用。
厂房竣工后，鑫威源电子完成了超过一百台套制造设备的安装和调试，打通了芯片制造产线。在厂区内，鑫威源电子还完成了相关技术能力的转移，并进行了产品试验生产。
今年9月，鑫威源电子实现了蓝光450nm激光芯片的重大技术突破：阈值电流小于0.25A，功率大于7W@3.5A，光电转换效率WPE达到45%，产品技术可以满足市场对大功率氮化镓半导体激光器的应用要求。
鑫威源电子表示，氮化镓半导体激光器芯片项目正式投产后，将有效填补国内高端可见光激光器市场的研发与制造空白，加速氮化镓半导体激光器在国内的普及与应用。
目前，国内产业界在氮化镓激光器芯片研发制造方面已取得一定进展。例如，北京大学物理学院的?胡晓东教授团队通过独创的晶体外延技术和一系列创新工艺，成功攻克了氮化镓激光芯片的制备与封装难题，这些技术突破不仅提升了氮化镓激光器芯片的性能，也为未来的大规模生产和应用奠定了基础。（集邦化合物半导体整理Zac整理）
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