9月24日，意法半导体（ST）官宣推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技术。
source：意法半导体
意法半导体表示，其第四代碳化硅MOSFET技术在功率效率、功率密度和稳定性方面树立了新的标杆。新技术在满足汽车和工业市场应用需求的同时，还特别针对电动汽车牵引逆变器应用进行了优化。意法半导体还计划在2027年之前推出更多先进的碳化硅技术创新。
与硅基解决方案相比，ST的第四代碳化硅MOSFET效率更高、元件更小、重量更轻，并能够延长续航里程。目前，领先的电动汽车制造商正与ST合作，将第四代碳化硅技术引入其车辆，以提高性能和能源效率。
虽然主要应用是电动汽车牵引逆变器，但ST的第四代碳化硅MOSFET也适用于大功率工业电机驱动器，可实现更高效、更可靠的电机控制，降低工业环境中的能耗和运营成本。
在可再生能源应用中，ST第四代碳化硅MOSFET可提高太阳能逆变器和储能系统的效率，有助于实现更可持续、更具成本效益的能源解决方案。此外，这些碳化硅MOSFET可用于AI服务器数据中心的电源装置，其高效率和紧凑尺寸对于巨大的功率需求和热管理挑战至关重要。
ST的新型碳化硅MOSFET器件将提供750V和1200V两个级别，将提高400V和800V电动汽车牵引逆变器的能效和性能，将碳化硅的优势带入中型和紧凑型电动汽车。
截至目前，ST已完成第四代碳化硅技术平台750V电压等级的认证，预计将在2025年第一季度完成1200V电压等级的认证。标称电压为750V和1200V的设备将随后投入商业使用，使设计人员能够满足从标准交流线电压到高压电动汽车电池和充电器的应用。
截至目前，ST已为全球500多万辆乘用车提供STPOWER碳化硅器件，用于牵引逆变器、OBC（车载充电器）、DC-DC转换器、电动汽车充电站和电动压缩机等一系列电动汽车应用，提高了新能源汽车的性能、效率和续航里程。（来源：意法半导体，集邦化合物半导体整理）
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