9月20日，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）发布了公司首台氧化镓专用晶体生长设备。该设备不仅满足氧化镓晶体生长的各项需求，还集成了多项自主创新技术，是镓仁半导体实现氧化镓单晶材料技术闭环的新里程碑。
source：镓仁半导体
据介绍，镓仁半导体此次推出的氧化镓专用晶体生长设备满足氧化镓生长所需的高温和高氧环境。设备采用非铱（Ir）坩埚材料，可在空气气氛下工作。研发团队自主设计了独特的复合测温技术和控温算法，确保晶体生长过程的稳定性、均匀性和一致性。
该设备实现了全自动化晶体生长流程，减少了人工干预，显著提高了生产效率和晶体质量。通过该设备制备的氧化镓晶体为柱状外形，通过工艺控制可获得多种不同晶面的大尺寸单晶，且支持向更大尺寸单晶的升级，以适应不断发展的外延技术和器件需求。
除了在设备领域有动作，镓仁半导体今年在融资、合作以及氧化镓技术方面也有相关进展。
今年4月，镓仁半导体推出了新产品2英寸晶圆级（010）氧化镓半绝缘单晶衬底，并实现了2英寸（010）氧化镓单晶衬底的自主量产，打破了国际垄断。
6月底，镓仁半导体与苏州迈姆思半导体科技有限公司签订合作协议，双方将协作实现碳化硅和氧化镓的键合，用碳化硅出色的散热性能来弥补氧化镓散热性能的不足，同时通过氧化镓和硅的键合，大幅度降低成本，推动氧化镓作为功率器件的量产化。
7月，镓仁半导体成功制备出了3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底。
8月，镓仁半导体完成了Pre-A轮融资并与杭州银行战略合作协议的签订。
9月上旬，镓仁半导体宣布公司在氧化镓衬底加工技术上取得突破性进展，成功研制超薄6英寸衬底，衬底厚度小于200微米。（集邦化合物半导体整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。