9月17日，日本碍子株式会（NGK，下文简称日本碍子）在其官网宣布，已成功制备出直径为8英寸的SiC晶圆，并表示公司将于本月低在美国ICSCRM 2024展示8英寸SiC晶圆及相关研究成果。
公开资料显示，日本碍子成立于1919年5月5日，主要业务包括制造和销售汽车尾气净化所需的各种工业用陶瓷产品、电子及电气设备用陶瓷产品、特殊金属产品、蓄电系统、绝缘子和电力相关设备等。
除了展示8英寸SiC晶圆以外，日本碍子还将披露“在多种衬底上生长低BPD密度4H-SiC单晶的新方法”。
日本碍子表示，减少SiC衬底中的BPD是提高SiC功率器件产量和可靠性的重要手段。公司开发出了一种工艺，利用其陶瓷加工技术在多个衬底上生长具有低BPD密度的4H-SiC晶体。今年3月，日本碍子表示，通过该工艺，其完成了在4英寸4H-SiC籽晶上同时生长了9个晶体的实验。
除了碳化硅，日本碍子在氮化镓（GaN）方面也有布局。
早在2012年，日本碍子便在其他研究机构的协助下，在开发出来的GaN晶圆上制造了LED元件，并进行了发光性能试验。据介绍，日本碍子的GaN晶片采用其专有的液相晶体生长法生产，整个晶圆表面的BPD密度大幅降低。
目前，日本碍子已开发出用于激光二极管等光源器件的2英寸GaN晶圆的量产结构。日本碍子现正开发射频器件和功率器件应用，努力进一步增大直径并降低位错密度，旨在早日开发出量产结构。（集邦化合物半导体Morty整理）
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