9月10日，据Soitec官网消息，由Soitec主导的欧洲研究和产业联盟已经开始着手开发基于磷化铟（InP）的下一代高频半导体。
source：Soitec
这项技术能够满足用于大型数据中心和AI的光子学，用于6G移动通信的射频前端和集成天线，以及亚太赫兹雷达传感等领域的应用。
据悉，磷化铟（InP）器件能够在接近或超过1太赫兹（THz）的频率下运行，与硅基器件相比，提供了更快的速度和更高的能效。
Soitec主导的欧洲研究和产业联盟Move2THz由27个成员组成，旨在保障欧洲InP半导体的稳健供应和制造生态系统发展，并解决相关产品更广泛应用的障碍，包括InP基先进衬底的成本和可用性。该项目为期三年，已经获得了欧盟的资金支持，以及来自法国、瑞士、德国、瑞典、荷兰和比利时政府的补充投资。
Soitec秘书长艾曼纽埃尔·贝利（Emmanuelle Bely）表示：“这个项目标志着在整合越来越强大、能效更高的半导体技术方面的一个重要里程碑。我们正在一起为基于磷化铟的创新铺平道路，这将改变6G通信、光子学和人工智能等关键领域。”
公开资料显示，Soitec于1992年成立于法国，主营半导体硅晶圆制造及销售业务，是全球最大的优化半导体硅片衬底供应商。而硅片经过冶炼、铸造及切割之后，Soitec使用其独有的切割技术，在两层氧化硅之间插入绝缘层形成绝缘硅（SOI）晶圆，从而制造成射频前端芯片、功率器件、汽车芯片、传感芯片等产品。
目前，除了光子学，Soitec的业务布局还包括RF-GaN、SmartSiC™、Power-GaN等化合物半导体材料，其在法国伯宁的新工厂已于2023年10月落成，该工厂投资额为3.8亿欧元（约30亿人民币），占地面积2500平方米，2028年全部达成后可年产50万片，其中80%为SmartSiC晶圆。
此外，Soitec布局了Smart Cut™、Smart Stacking™等技术，其中，Smart Cut™技术能够精准切割碳化硅晶圆，提高碳化硅晶圆的良率和性能，并显著增加产量。（集邦化合物半导体Zac整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。