9月11日，英飞凌宣布，公司已成功开发出全球首款12英寸（300mm）功率氮化镓（GaN）晶圆。
source：英飞凌
英飞凌表示，公司是全球首家在现有可扩展的大批量生产环境中掌握这一突破性技术的公司。这一突破将极大地推动氮化镓功率半导体市场的发展。
英飞凌表示，12英寸晶圆与8英寸晶圆相比，每片能多生产2.3倍数量的芯片，技术和效率显著提升。
基于氮化镓的功率半导体在工业、汽车、消费类、计算和通信应用中迅速获得采用，涵盖AI系统的电源、太阳能逆变器、充电器、适配器以及电机控制系统。
先进的氮化镓制造工艺提高了设备性能，它实现了更高的效率性能、更小的尺寸、更小的重量和更低的总体成本，为客户带来便利。此外，12英寸氮化镓制造通过可扩展性确保了供应稳定性。
英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这一技术突破将改变行业格局，并使公司能够释放氮化镓的全部潜力。在收购GaN Systems近一年后，英飞凌掌握了硅、碳化硅和氮化镓三种相关材料的技术。”
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英飞凌利用现有成熟生产12英寸硅晶圆和8英寸氮化镓晶圆的能力，公司已成功在奥地利维拉赫的功率工厂中现有的12英寸硅晶圆生产线上制造12英寸氮化镓晶圆。
后续，英飞凌将根据市场需求进一步扩大GaN产能。英飞凌表示，12英寸氮化镓晶圆的生产将使英飞凌在不断增长的氮化镓市场中占据有利地位。
据集邦咨询最新的《2024全球GaN Power Device市场分析报告》显示，2023年全球GaN功率元件市场规模约2.71亿美元，至2030年有望上升至43.76亿美元，CAGR（复合年增长率）高达49%。其中非消费类应用比例预计会从2023年的23%上升至2030年的48%，汽车、数据中心和电机驱动等场景为核心。
目前，英飞凌正在推动12英寸氮化镓技术，以加强现有的解决方案和应用领域，并使新的解决方案和应用领域具有越来越高的成本效益价值主张，并能够满足客户系统的全方位需求。后续，英飞凌将于2024年11月在慕尼黑举办的电子展（electronica）上向公众展示首批12英寸氮化镓晶圆。
英飞凌表示，12英寸氮化镓技术的一大优势是可以利用现有的12英寸硅晶圆制造设备，这是因为氮化镓和硅的制造工艺非常相似。英飞凌现有的大规模12英寸硅晶圆生产线是试点可靠氮化镓技术的理想选择，有利于加快实施速度并有效利用资金。
全面规模化量产12英寸氮化镓生产将有助于氮化镓在RDS(on)水平上与硅的成本平价，这意味着同类硅和氮化镓产品的成本持平。（集邦化合物半导体Morty编译）
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