9月10日，晶圆代工大厂世界先进宣布，拟投资24.8亿新台币（折合人民币约5.5亿元），以获取汉磊科技公司（下文简称“汉磊”）13%的股权。双方将进行策略合作，共同推动8英寸碳化硅（SiC）晶圆技术研发与生产制造。
source：汉磊
资料显示，汉磊位于中国台湾新竹科学园，专注于碳化硅以及氮化镓的代工，目前企业拥有1座4/5英寸及2座6英寸晶圆厂。
近年来，随着国际大厂与国内相关企业相继开始建设8英寸碳化硅产线，汉磊此前就有意愿布局8英寸化合物半导体，却受制于自建8英寸厂房过高的成本。今年6月，有媒体曝汉磊为进军8英寸领域，考虑与现有8英寸厂商合作。
而世界先进目前有5座8英寸晶圆厂，自身也有8英寸氮化镓代工业务，但缺乏碳化硅技术。双方合作能实现资源互补，并可节约成本，创造更多经济效益。
在汉磊与世界先进的合作中，相关技术初期将由汉磊转移，预计2026下半年开始量产。
汉磊董事长徐建华表示：“汉磊与世界先进的合作将在汉磊现有6英寸晶圆制造技术及客户的基础上，共同合作进行8英寸碳化硅技术平台开发及产能布建，以提供全球IDM及Fabless客户具有长期竞争力的解决方案。”
世界先进董事长方略表示：“凭借公司领先的特殊积体电路制造专业，以及汉磊在化合物半导体领域的卓越技术，使公司基于现有的电源管理IC，分立器件以及氮化镓外，再导入碳化硅后，更能成为具备完整第三代化合物半导体的8英寸晶圆厂，为拓展电源管理产品相关业务市场，提供从低功耗到高功率、从低频到高频操作，更加完整的电源管理技术平台，有望能为客户的产品提供更具竞争力的全方位解决方案。”（集邦化合物半导体Morty整理）
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