涉碳化硅MOSFET和模块,2个项目披露新进展

作者 | 发布日期 2024 年 09 月 06 日 18:00 | 分类 企业

近期,碳化硅相关产能建设热度上涨,又有2个项目披露了最新进展,分别是萃锦半导体功率半导体中后道特色工艺生产基地和芯干线半导体项目。

图片来源:拍信网正版图库

月产增至3000片,萃锦半导体筹建碳化硅MOSFET项目

9月4日,据宁波股权交易中心官微消息,浙江萃锦半导体有限公司(以下简称:萃锦半导体)的母公司宁波萃锦科技发展有限公司正在筹划建设面积4.2万平方米的功率器件制造厂房,采用功率半导体中后道特色工艺(FSM+BGBM),打造功率器件生产基地。

萃锦半导体采用Smart IDM模式,专注于新一代功率半导体的芯片设计、器件研发、生产、销售和应用服务。其致力于在新能源汽车、算力、储能、风电、工业驱动等领域,提供高可靠、高性能的分立器件、模块和板级方案,产品包括600V-2000V电压平台的碳化硅MOSFET和模块,、硅基超结SJ MOS、IGBT分立器件和模块、新型合封功率芯片和板级系统方案等。

在供应链方面,萃锦半导体拥有海外成熟量产的碳化硅代工厂,每月可提供1000片以上的MOSFET,通过新筹建工厂的功率芯片中后道特色工艺线,萃锦半导体能够将碳化硅MOSFET的月产能提升至3000片。

合作方面,2022年3月,萃锦半导体与湖南功率半导体创新中心签订战略合作协议。该创新中心拥有功率模块封装设计中心、试制中心、检测中心(其中检测中心已获得CNAS资质),可以满足先进封装工艺的开发和车规级全套可靠性测试。

研发进展方面,2022年6月6日,萃锦半导体生产出首款碳化硅模块样品,样品通过全部动静态参数测试,性能指标完全达到设计要求。

该碳化硅模块采用1200V碳化硅MOSFET芯片、三相全桥拓扑结构,引入低感设计、双面银烧结、铜线键合、高温灌封等技术,具有低杂散电感、优异的热管理结构、超低损耗、高输出功率、高可靠性等特点。

芯干线半导体项目首条生产线已投产

9月5日,据建湖县人民政府官网消息,芯干线半导体项目第一条生产线已经投产。据悉,该项目计划总投资5亿元,新上智能功率模块封测生产线10条,预计年底可达到年产3万只模块的产能,达产后可实现年产100万只模块的产能。

芯干线专注于化合物半导体功率器件及模块设计研发,产品线包括增强型氮化镓功率器件(X-GaN),碳化硅功率器件(X-SiC)以及化合物半导体电源模块。芯干线为下游客户提供化合物半导体应用方案和全面的技术支持,涵盖消费级、工业级等各领域。

合作方面,6月18日,芯干线与瑞萨电子在南京举行了战略合作签约仪式,宣布建立数字电源联合实验室,共同打造高效率、高功率密度的数字电源解决方案。

融资方面,自2020年10月成立以来,芯干线已完成3轮融资。其最近一轮融资在去年8月披露,融和资产通过上海中电投融和新能源投资管理中心(有限合伙)及上海融和九智私募基金合伙企业(有限合伙)完成对芯干线的战略投资,布局新能源产业链上游电力电子元器件领域。(集邦化合物半导体Zac整理)

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