大会背景
半导体材料作为现代电子信息产业的重要基石，已经上升到大国科技竞争的核心领域。随着新能源、5G通讯、人工智能以及低空经济等先进生产力的快速发展，对半导体材料的需求急剧增长，然而硅基半导体材料正面临着摩尔定律逼近物理极限的挑战。为了应对这一挑战并继续推动信息技术产业的创新与高速发展，全球科技界和产业界亟需打破传统材料的限制，从材料或结构角度出发，积极探索新一代半导体材料或运用先进封装技术，以期开创行业新篇章。
在此背景下，第2届第三代半导体及先进封装技术创新大会暨先进半导体展应运而生。大会以“‘芯’材料·新领航”为主题，聚焦于第三代半导体与先进封装技术的发展新机遇。通过集结全球智慧，共同研讨并引领创新路径，致力于从应用需求出发，逆向推动相关技术的研发。同时，通过产学研的紧密结合，推动先进电子产业的协同创新。此次大会能激发出更多的创新思维，加强行业间的合作，为电子信息产业的持续发展注入新的活力。
组织单位
大会主题
“芯”材料 新领航
主办单位
中国生产力促进中心协会新材料专业委员会
DT新材料
联合主办
深圳市宝安区半导体行业协会
支持单位
第三代半导体产业技术创新战略联盟
粤港澳大湾区半导体产业联盟
横琴粤澳深度合作区半导体行业协会
香港科技大学深港协同创新研究院
香港城市大学深圳研究院
香港青年科学家协会
北京大学深圳系统芯片设计重点实验室
协办单位
深圳市半导体产业发展促进会
深圳市集成电路行业协会
深圳先进电子材料国际创新研究院
粤港澳大湾区先进电子材料技术创新联盟
陕西省半导体行业协会
山东省半导体行业协会
承办单位
深圳市德泰中研信息科技有限公司
支持媒体
DT新材料、DT芯材、DT半导体、洞见热管理、 Carbontech、《半导体芯科技》、《化合物半导体》、 芯师爷、21ic 电子网、芯榜、电子发烧友、夯邦、集邦化合物半导体
时间地点
2024年11月6—8日 深圳国际会展中心（宝安）
日程安排
大会议题
主论坛：“芯”材料 新领航
（1）宏观政策解读
（2）科技前沿新突破
（3）产业进展与趋势
（4）产业投资分析与方向
圆桌对话： AI和新能源风口下的“芯”机遇与挑战
「先进封装技术」分论坛：抢抓AI新机遇
（1）AI时代先进封装及Chiplet应用专场
AI时代先进封装发展与产业趋势解析
Chiplet高密度集成技术赋能AI算力提升
2.5D/3D封装设计仿真验证
高精度装备创新助推先进封装产业腾飞
先进封装精密检测设备创新应用
圆桌对话： Chiplet互联接口标准化落地问题探讨
（2）先进封装互连技术专场
AI芯片互连技术创新及挑战
3D 堆叠技术中硅通孔（TSV）刻蚀与填充
3D封装晶圆减薄中如何解决翘曲、裂片问题
先进封装互连低温烧结焊料的应用
三维互连热管理创新解决方案与材料选择
多芯片高速互连接口设计挑战对策与EDA解决方案
（3）面板级封装关键设备及材料机遇专场
板级封装技术成本优势与发展前景
面板厂商设备升级切入板级封装的机遇
板级封装贴片机技术突破与市场机遇
探索TGV技术推动PLP面板级封装创新与发展
高端环氧树脂技术创新与突破
圆桌论坛：板级封装国产设备和材料新机遇
（4）TGV玻璃基板专场
先进封装特种平板玻璃材料创新与应用
玻璃通孔（TGV）技术创新发展
玻璃通孔工艺挑战和解决方案
玻璃基板电镀重布线技术解析与探索
激光通孔技术加速TGV产业化落地
高密度玻璃载板：ROS技术的创新与应用探索
「碳化硅半导体」分论坛：800伏快充卷动碳化硅风云
（1）800V高压快充碳化硅市场与应用专场
碳化硅功率器件在新能源车端的应用
800V高压电气拓扑结构设计
从高压快充看碳化硅在电力设备中的运用
车规级碳化硅芯片/器件制造技术突破及应用进展
碳化硅器件耐用性检验——芯片研发环节高温门极偏置测试
圆桌对话：800V高压快充碳化硅市场机遇与挑战！
（2）800V高压快充碳化硅特色封装及可靠性验证专场
碳化硅模块封装如何提升耐高温能力——SiC特色封装设计路线
车规级碳化硅封装可靠性测试与验证
碳化硅功率模块封装用关键设备及核心技术
碳化硅功率器件封装用高热导率陶瓷基板
碳化硅功率器件封装用低电阻率的金属连接件、烧结银/铜工艺
耐高压封装绝缘材料、热管理材料突破
功率模块设计与仿真流程
（3）碳化硅晶圆（衬底与外延片）专场
8 inch SiC外延片生长技术及产业化进展
大尺寸衬底制造难点及技术突破
碳化硅晶圆切割良率提升及翘曲防范——激光切割
8 inch碳化硅晶圆磨抛工艺方案
碳化硅垂直式6/8英寸兼容外延设备国产解决方案
CVD SiC陶瓷材料在半导体行业的应用和发展
衬底片、外延片的精确测量方案
（4）碳化硅晶体生长专场
8英寸碳化硅晶体生长良率与速率控制
8英寸碳化硅晶体生长位错控制
长晶炉设计及关键参数控制
热场设计、晶体制备工艺设计——控温技术及设备
碳化硅晶体缺陷控制——快速退火炉及技术应用
「氮化镓半导体」分论坛：氮化镓AI时代开疆拓土
（1）氮化镓功率器件设计与制造技术专场
高性能氮化镓功率器件设计
高可靠性氮化镓功率器件研究
氮化镓功率器件制造关键挑战和解决方案
氮化镓功率器件创新封装技术研究进展
氮化镓功率器件测试技术挑战及实践
（2）氮化镓半导体材料与设备专场
氮化镓单晶衬底生长研究
氮化镓晶体生长HVPE炉研究进展
功率器件用氮化镓外延技术研究及展望
氮化镓外延翘曲、裂纹挑战与解决策略
氮化镓外延MOCVD设备进展和突破
（3）数据中心氮化镓功率器件应用专场
数据中心功率器件应用趋势与变化（需求）
数据中心开关电源技术的挑战
氮化镓功率器件在数据中心电源的应用实践
数据中心氮化镓功率器件创新方案
工业级氮化镓功率器件可靠性验证
圆桌对话：数据中心氮化镓方案创新与应用发展的机遇与挑战
（4）氮化镓功率器件多元应用发展专场
氮化镓大规模应用的关键因素
氮化镓器件在车载OBC中的应用及技术创新
应用于光伏微逆变器的氮化镓功率器件整体方案
高压氮化镓功率器件为应用创造更多可能性
可靠性验证创新方案加速氮化镓功率器件应用
多物理场仿真在氮化镓可靠性验证领域的应用
圆桌对话：氮化镓功率器件可靠性验证标准建设
咨询报名
联系人：
龚志明 177 0403 8566 （微信同号）
周林强 177 2467 7536 （微信同号）
黄如琪 170 1760 8934 （微信同号）
刘东妮 180 3806 7192 （微信同号）
地 址：深圳市宝安区福永街道龙王古庙工业区深圳先进电子材料国际创新研究院1栋1201
