8月18日，WaveLoad对外宣布，公司计划明年年初量产氮化镓外延片。
WaveLoad已在韩国京畿道华城市建成占地300平方米、洁净度达1000级的无尘室，可批量生产氮化镓外延片。该设施可生产4英寸和8英寸氮化镓外延片，产能分别为2,000片/月和500片/月。目前，WaveLoad正在向多个客户提供样品，以便对批量生产的产品性能和质量进行评估。
WaveLoad产品主要用于有源电子扫描阵列（AESA）雷达、5G移动通信和卫星通信等领域。
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WaveLoad计划先从高频、高输出功率放大器半导体所需的4英寸碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）外延片开始量产，后续再将其产品线扩展到用于高频、低输出功率放大器半导体的8英寸硅基氮化镓（GaN on Si）外延片。
此外，用于电动汽车和新能源发电与存储系统（ESS）所需功率转换的8英寸硅基氮化镓外延片计划于2026年底前量产。
资料显示，WaveLoad由LG Innotek LED业务部门前主管Jun-Oh Song于2019年底成立。由于氮化镓外延片上需要生长的衬底和材料各不相同，这增加了人们使用MOCVD设备的难度，但WaveLoad的优势在于其工程师曾在LG Innotek量产过用于LED发光设备的氮化镓外延片。目前，该公司目前已拥有约160项专利。（文：集邦化合物半导体Morty整理）
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