8月7日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）迎来了Pre-A轮融资及战略合作签约庆典。本轮投资由九智资本领投，普华资本共同投资。公司天使轮投资机构蓝驰创投、禹泉资本、毅岭资本均出席共同见证此次融资签约仪式。
source：镓仁半导体
镓仁半导体表示，本轮融资资金的注入，不仅是对公司技术实力和市场前景的高度认可，更为公司的未来发展提供了坚实的资金保障。
同时，随着与杭州银行战略合作协议的签订，公司将进一步深化与金融机构的合作，共同探索科技与金融深度融合的新模式、新路径，为公司的持续快速发展注入新的活力。
据悉，镓仁半导体成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的科技型企业。镓仁半导体开创了非导模法氧化镓单晶生长新技术，突破了国际市场对氧化镓材料的垄断，可提供具有完全自主知识产权的氧化镓单晶衬底材料。
技术进展方面，此前，镓仁半导体联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用杨德仁院士团队自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓（β-Ga2O3）单晶衬底。
2024年4月，镓仁半导体推出了新产品2英寸晶圆级（010）氧化镓半绝缘单晶衬底，并实现了2英寸（010）氧化镓单晶衬底的自主量产，打破了国际垄断。
2024年7月，镓仁半导体成功制备出了3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底。（来源：镓仁半导体、集邦化合物半导体）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。