据韩媒报道，Apro Semicon 24日宣布，公司已开发出8英寸1200V硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片，并预计今年年底大规模投产。
报道称，继2021年引进对8英寸GaN的发展至关重要的MOCVD设备之后，Apro Semicon一直在推动GaN外延片的开发。经过约三年的研发，该公司成功开发出了8英寸1200V GaN外延片。据介绍，该产品的可承受的最高电压（击穿电压）为1600V，可实现高效功率转换，而且外延片厚度和均匀性的质量已提高到99%。
据悉，Apro Semicon最初计划开发GaN外延片是为了供应给母公司Apro，用于其二次电池活化设备。然而，由于最近快速充电器、电源和汽车电子等产品对GaN功率半导体的需求扩大，该公司决定拓宽目标市场，并开始与多家系统制造商展开全面合作。
除功率半导体外，Apro Semicon还在开发用于射频(RF)器件的外延片。据报道，该公司正在与韩国国内射频半导体公司进行“GaN on SiC”外延片的样品测试。
在融资方面，继去年成功获得50亿韩元（折合人民币约2600万元）的A轮投资后，Apro Semicon今年正在进行500亿韩元（折合人民币约2.6亿元）的B轮融资，用以加速GaN外延片的大规模生产。
Apro Semicon在建的龟尾GaN外延工厂（source：Apro Semicon）
Apro Semicon在最近获得了约100亿韩元（折合人民币约5200万元）的融资，这笔款项计划用来引进新的MOCVD设备，以进一步投资其位于龟尾的GaN外延片量产工厂。公司的龟尾工厂已于今年10月竣工，并将于年底投入运营。这里生产的外延片将与DB HiTeK（东部高科）等代工厂合作，生产GaN半导体芯片。（集邦化合物半导体Morty整理）
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