7月23日，据安森美官微消息，安森美近日宣布与大众汽车集团签署了一项多年协议，成为其可扩展系统平台（SSP）下一代主驱逆变器的主要供应商，提供完整的电源箱解决方案。该解决方案在集成模块中采用了基于碳化硅的技术，可扩展至所有功率级别的主驱逆变器，兼容所有车辆类别。
source：安森美
安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury表示，这种涵盖整个功率子组件的完整电源系统解决方案可以在不影响性能的前提下，为不同车辆定制功率需求和增加特性，同时降低成本。
据了解，安森美近日推出了最新一代碳化硅技术平台EliteSiC M3e MOSFET，并计划在2030年前推出多代新产品。凭借安森美独特的设计和制造能力，EliteSiC M3e MOSFET在可靠且经过实际验证的平面架构上显著降低了导通损耗和开关损耗。与前几代产品相比，该平台能够将导通损耗降低30%，并将关断损耗降低多达50%。
据介绍，基于EliteSiC M3e MOSFET，安森美独特的电源箱解决方案能够在更小的封装内处理更大功率，并能显著降低能耗。三个集成的半桥模块安装在冷却通道上，通过确保热量从半导体器件到冷却液外壳的高效管理，进一步提高了系统效率。该解决方案能够带来更好的性能、更佳的散热控制和更高的效率，从而提高电动汽车的续航里程。
值得一提的是，大众汽车集团也将受益于安森美在捷克共和国扩大碳化硅生产的投资计划，这项投资将在欧洲建立一个主驱逆变器电源系统的端到端生产基地。今年6月19日，安森美宣布将在捷克共和国建造先进的垂直整合碳化硅制造工厂，该工厂将生产安森美的智能功率半导体，这些功率半导体有助于提高电动汽车、可再生能源和AI数据中心等应用的能效。安森美工厂的邻近优势将加强大众汽车集团的供应链。
今年以来，安森美加快碳化硅技术和产品“上车”进程，除了本次成为大众汽车供应商外，安森美此前还与理想汽车签约。1月9日，安森美正式宣布与理想汽车续签长期供货协议。
据悉，此次协议签订后，理想汽车将在其下一代800V高压纯电车型中采用安森美高性能EliteSiC 1200V裸芯片。安森美介绍称，其EliteSiC 1200V产品拥有更高能效、更轻量的设计，可增加汽车的续航里程和加快充电速度，裸芯片产品则便于客户根据特定应用需求进行差异化封装设计。（集邦化合物半导体Zac整理）
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