7月15日，据镓仁半导体官微消息，镓仁半导体于今年7月成功制备出3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底，据称为目前国际上已报导的最大尺寸。
source：镓仁半导体
据镓仁半导体介绍，在氧化镓单晶衬底常见的主流晶面中，（010）衬底在物理特性和外延方面具有出色的表现。首先，（010）衬底热导率最高，有利于提升功率器件性能；第二，（010）衬底具有较快的外延生长速率；第三，基于（010）衬底制备的器件具有更优异的性能。
资料显示，镓仁半导体成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等超宽禁带半导体单晶衬底及外延材料研发、生产和销售的厂商。镓仁半导体开创了非导模法氧化镓单晶生长新技术，突破了国际市场对氧化镓材料的垄断，可提供具有完全自主知识产权的氧化镓单晶衬底材料。
技术进展方面，此前，镓仁半导体联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用杨德仁院士团队自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓（β-Ga2O3）单晶衬底。
2024年4月，镓仁半导体推出了新产品2英寸晶圆级（010）氧化镓半绝缘单晶衬底，并实现了2英寸（010）氧化镓单晶衬底的自主量产，打破了国际垄断。
融资方面，今年4月，镓仁半导体宣布完成数千万元天使轮融资，本轮融资由蓝驰创投领投，禹泉资本、毅岭资本跟投，融资资金将用于强化团队、加速氧化镓衬底材料新方法及中试线研发。（集邦化合物半导体Zac整理）
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