年产1600吨碳化硅衬底材料项目完成签约

作者 | 发布日期 2024 年 07 月 03 日 18:00 | 分类 企业

6月28日,据“安吉发布”官微消息,在“源起黄浦江 潮涌向未来”安吉(上海)推介会上,35个项目集体签约,包括年产1600吨碳化硅衬底材料项目、高性能新能源电池覆膜材料产业园项目、云上龙王山·高山全季文旅度假综合体项目等。

其中,年产1600吨碳化硅衬底材料项目签约方为苏州冠岚新材料有限公司(以下简称冠岚新材料)。

source:安吉发布

资料显示,冠岚新材料成立于2021年9月,主要产品为大尺寸、高纯度、低成本第三代半导体SiC原材料、SiC镀膜,目前国产化原材料产品已验证完成,获国内外多家客户认证。冠岚新材料采用独有的升级的化学气相沉积的原材料技术,生产出的晶棒较厚、成本较低、纯度较高。

2023年12月,冠岚新材料完成A轮融资,投资方包括万安投资、国升基金、隆晟基业。

值得一提的是,近期还有另外一个SiC项目签约落地安吉县所在的浙江湖州市。5月9日,据“南太湖发布”官微披露,浙江湖州南太湖新区管理委员会和安徽源芯微电子有限责任公司(以下简称源芯微电子)举行源芯微电子年产20亿只车规级芯片智造项目签约仪式。

据悉,此次签约落地的年产20亿只车规级芯片智造基地和SiC车规级芯片研究院项目总投资10亿元,分两期建设,全部达产后年产值约18亿元。

此外,东尼电子2021年非公开发行募投项目“年产12万片碳化硅半导体材料”的实施地点位于湖州市吴兴区织里镇。该项目总投资4.69亿,由子公司东尼半导体负责建设。这一项目已于2023年上半年实施完毕。

今年3月18日,湖州市生态环境局公示了对东尼电子扩建SiC项目的环评文件审批意见。根据公告内容,东尼半导体计划利用东尼五期厂区厂房,实施扩建年产20万片6英寸SiC衬底材料项目。(集邦化合物半导体Zac整理)

更多SiC和GaN的市场资讯,请关注微信公众账号:集邦化合物半导体。