步入7月，氮化镓（GaN）领域新增两起收购案。
格芯收购Tagore GaN技术和相关团队
7月1日，晶圆代工大厂格芯（GF）宣布，公司收购了Tagore Technology经生产验证的专有功率氮化镓（GaN）IP产品组合。
source：拍信网
该产品组合是一种高功率密度解决方案，旨在推动汽车、物联网（IoT）和人工智能（AI）数据中心等广泛电源应用领域的效率和性能发展。
资料显示，Tagore Technology成立于2011年1月，专注开发用于射频(RF)和电源管理应用的硅基氮化镓(GaN-on-Si)半导体技术。
根据收购协议，一支来自Tagore致力于开发GaN技术且经验丰富的工程师团队将加入GF。
GF首席商务官Niels Anderskouv表示：“通过此次收购，GF向加速GaN的普及迈出了又一步，并能帮助我们的客户构建下一代电源管理解决方案，这些方案将重塑移动性、连接性和智能化的未来。”
值得一提的是，2024年2月，GF根据美国《芯片与科学法案》获得15亿美元（折合人民币约109元）的直接资助，部分资金将用于实现包括GaN在内的关键技术的批量生产。
通过将这种制造能力与Tagore团队的技术知识相结合，GF将改变AI系统的效率，尤其对边缘或物联网设备来说，降低功耗至关重要。
Guerrilla RF收购Gallium Semiconductor的GaN技术
Guerrilla RF 今（7月2日）日宣布，公司近期收购了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模块产品组合。
Guerilla RF 将为无线基础设施、军事和卫星通信应用开发新的GaN器件产品线并实现商业化。
通过此次收购，Guerrilla RF获得了Gallium Semiconductor 所有现有的元件、正在开发的新内核以及相关知识产权(IP)。该公司表示，它将能够为无线基础设施、军用、卫星通信和其他领域的应用开发创新解决方案。
Guerrilla RF官方经销商Telcom International的一位员工表示：“我们计划向韩国市场供应Guerrilla RF的射频晶体管，并将其集成到主要合作伙伴的项目中。这将促进韩国国内技术的发展，并并及时提供最佳产品。”
Guerrilla RF首席执行官Ryan Pratt表示：“集成GaN技术将在扩大我们的产品组合和为目标市场提供全面的解决方案方面发挥关键作用。我们期待通过此次收购来加强Guerrilla RF的产品组合。”（集邦化合物半导体Morty编译）
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