6月26日，据建湖发布官微消息，江苏省盐城市建湖县举行重大产业项目推进暨北一半导体功率器件项目开工活动。
source：建湖发布
据悉，北一第三代半导体功率器件项目总投资10亿元，分两期实施。项目全部投产后，可年产半导体器件125万件，年可实现开票销售15亿元，税收1.2亿元。
官微资料显示，北一半导体成立于2017年，总部位于深圳市，生产基地位于黑龙江省穆棱市，是一家专注于Si基、SiC基功率半导体芯片及模块研发、模块生产、销售的厂商。北一半导体目前在研产品包括精细沟槽栅IGBT芯片、沟槽栅SiC?MOSFET芯片、双面散热模块等，产品广泛应用于工业变频、感应加热、新能源汽车、风电及光伏领域。
SiC业务方面，2018年，北一半导体成立SiC芯片开发项目组，进行SiC二极管及MOSFET芯片调研规划；2019年，其1200V 20A SiC JBS二极管产出，可靠性通过工业级考核，1200V 40mΩ MOSFET芯片工程批流片；2021年，其1200V SiC JBS二极管及MOSFET分立器件在电源领域获得批量订单；2022年，北一半导体完成1200V等级SiC MPS芯片开发，浪涌电流达到12倍额定电流，新能源汽车用750V、1200V等级IGBT及SiC模块获小批量订单；2023年，北一半导体完成650V及1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片设计。
项目方面，2023年1月，北一半导体新建二期厂房正式全面投入使用。二期占地面积超过12500平米，产能进一步扩大，能够满足HPD模块、IGBT模块、PIM模块、IPM模块、SiC模块大量生产条件。
随着北一半导体本次开工的新项目建成达产，其SiC功率器件产能有望再上一个台阶（集邦化合物半导体Zac整理）
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