6月27日，半导体制造商Nexperia（安世半导体）宣布，计划投资2亿美元（约合人民币14.5亿元）开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等下一代宽带隙半导体（WBG），并在德国汉堡工厂建立生产基础设施。
同时，硅（Si）二极管和晶体管的晶圆厂产能也将增加。这些投资是与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士在生产基地成立100周年之际共同宣布的。
source：安世半导体
为了满足对高效功率半导体日益增长的长期需求，从2024年6月开始，安世半导体三种工艺（SiC、GaN和Si）器件都将在德国开发和生产。
同月，安世半导体首批高压GaN d-mode晶体管和SiC二极管生产线投产。安世半导体指出，下一个里程碑将是建设SiC MOSFET和低压GaN HEMT 8英寸现代化高性价比生产线，这些产线预计在未来两年内在汉堡工厂建成。
与此同时，这笔投资还将有助于德国汉堡工厂现有基础设施的进一步自动化，并通过系统地转换到8英寸晶圆来扩大硅生产能力。安世半导体在扩大无尘室面积后，还将新建研发实验室，以继续确保未来从研究到生产的无缝过渡。
安世半导体德国首席运营官兼董事总经理Achim Kempe评论道：“这项投资巩固了我们作为节能半导体领先供应商的地位，使我们能够更负责任地利用可用的电能。未来，我们的汉堡晶圆厂将覆盖宽带隙半导体的全系列，同时其仍然是最大的小型信号二极管和晶体管工厂。”（集邦化合物半导体Morty编译）
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