作为一家聚焦于SiC半导体领域的芯片厂商，瞻芯电子致力于开发SiC功率器件、驱动和控制芯片、SiC功率模块产品，并围绕SiC功率半导体应用，为客户提供一站式芯片解决方案。
图片来源：拍信网正版图库
据悉，瞻芯电子在国内较早自主开发并掌握了6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台，并持续进行升级迭代。
依托自建的SiC晶圆产线，瞻芯电子开发了第二代SiC MOSFET产品，其中IV2Q12040T4Z（1200V 40mΩ SiC MOSFET）于2023年8月获得了车规级可靠性（AEC-Q101）认证证书，而且通过了新能源行业头部企业的导入测试，开启了量产交付。
瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压（Vgs）为15-18V，可提升应用兼容性，简化应用系统设计。在产品结构上，第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET，但进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降低约25%，并显著降低开关损耗，提升系统效率。
而在近日，瞻芯电子基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z）通过了车规级可靠性（AEC-Q101）测试认证；同时，瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台已正式量产。
瞻芯电子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET，现有IV3Q12013T4Z、IV3Q12013BA、IV3Q12013BD 3款产品，主要用于车载电驱动系统，已获得多家车载电驱动客户的项目定点。
其第三代1200V SiC MOSFET仍为平面栅型MOSFET，相比第二代工艺，元胞的Pitch缩小了超过20%。核心指标方面，第三代产品在保证器件的耐压和短路能力的前提下，将比导通电阻Rsp降低至2.5mΩ*cm2，同时，第三代产品的开关损耗对比第二代产品进一步降低30%以上。
在可靠性方面，首款产品IV3Q12013T4Z不仅按照AEC-Q101标准完成了三批次可靠性认证，获得车规级可靠性认证证书，而且通过了更严格的Beyond-AECQ可靠性考核，包括动态可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI)，栅极负偏压下的HTRB等。（集邦化合物半导体Zac整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。