继6月18日，总投资120亿元的士兰微8英寸SiC功率器件芯片制造生产线开工后，又有两个SiC相关项目披露了最新进展。
长飞先进武汉基地正式封顶
6月19日，据长飞先进官微消息显示，年产36万片SiC晶圆的长飞先进武汉基地日前正式完成主体结构封顶。
source：长飞先进
据悉，长飞先进武汉基地主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。项目总投资预计超过200亿元，占地面积约22.94万㎡，建筑面积约30.15万㎡，主要建设内容包括晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等。
接下来，项目将进入塔楼内部装修及裙楼主体结构施工阶段，预计明年7月量产通线。项目投产后可年产36万片SiC晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光储充等领域。
长飞先进专注于SiC功率半导体产品研发及制造，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。
目前，长飞先进产品覆盖650V-3300V全电压平台的SiC MOSFET和SBD，应用于车载主驱、车载OBC、光伏逆变器、充电桩逆变器、工业电源等全场景。长飞先进目前晶圆代工产品超过50款，自营产品超过20款，其中1200V 15mΩ SiC MOSFET产品已经开始导入市场，面向车载主驱逆变器应用场景。
晶能微电子车规级半导体封测基地二期项目将于2026年投产
6月17日，据温岭发布官微消息显示，晶能微电子车规级半导体封测基地二期项目用地近日成功出让。项目总用地面积达14755平方米，由温岭新城开发区下属国有企业负责厂房建设。
据悉，去年5月，晶能微电子与温岭新城开发区成功签约车规级半导体封测基地项目，项目共分两期实施建设。其中，一期扩建项目于2023年12月28日开工，主要建设一条车规级Si/SiC器件先进封装产线，目前已进入设备进场及调试阶段，将于本月正式投产。投产后，预计每年可生产超3.96亿颗单管产品。
二期项目主要用于开展MEMS、IC等产品的研发、生产、销售，同时将一期产线整体迁入新建厂房。项目计划于今年三季度开工建设，并于2026年投产。
晶能微电子是吉利孵化的功率半导体公司，聚焦于新能源领域的芯片设计与模块创新,为新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等客户提供功率产品和服务。
近年来，晶能微电子持续强化功率半导体封测业务布局。去年8月，据晶能微电子官微消息，其拟与钱江摩托签署协议，投资1.23亿元收购后者持有的益中封装100%股权。益中封装主要做单管先进封装，年产能3.6亿只。收购完成后，晶能微电子产品版图实现对壳封模块、塑封模块和单管产品的全覆盖。（集邦化合物半导体Zac整理）
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