近期，GaN产业各类动态让人目不暇接，涉及技术进展、新品发布、项目建设、融资并购、厂商合作等方方面面，而在近日，GaN产业链又新增两起合作案例，这在一定程度上显示了GaN产业热度正在持续上涨。
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CGD与ITRI签署GaN电源开发谅解备忘录
5月30日，Cambridge GaN Devices（CGD）与中国台湾绿能与环境研究所（ITRI）签署了谅解备忘录，在为USB-PD适配器开发高性能 GaN 解决方案方面加强合作。
CGD首席商务官Andrea Bricconi表示，CGD 将于6月在纽伦堡举行的PCIM展会上展示部分 ITRI 的电路板设计。通过利用CGD独特的IC芯片架构和ITRI的专利设计，这些设计实现了缩小应用尺寸、高能效、高功率密度，提高了竞争力。
ITRI商用电源设计团队负责人Wen-Tien Tsai表示，CGD的IC增强型GaN ICeGaN系列产品提高了易用性，促进了智能温度控制，并提高了栅极可靠性。
据悉，USB-PD适配器是GaN市场上首类商用化产品，也是CGD和ITRI首次合作瞄准的领域。双方合作协议涵盖了为电动汽车、电动工具、笔记本电脑和手机应用开发功率密度超过30W/in3的电源解决方案，功率范围140-240W。
资料显示，CGD是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效GaN功率器件，致力于打造更环保的电子器件。
佳恩半导体与西安电子科技大学达成战略合作
5月28日，青岛佳恩半导体有限公司（以下简称佳恩半导体）与西安电子科技大学战略合作签约仪式在青岛举行。
此次合作，双方将共同研究开展GaN功率器件结构设计与特性仿真，获得器件优化结构及参数，基于GaN器件制造平台开展器件核心工艺实验研究、工艺参数优化及器件样品研制，针对GaN功率器件特点，开展器件仿真研究，揭示器件特性与结构的内在关联，开展GaN功率器件的栅结构及栅金属、欧姆接触、钝化层等核心工艺研究。
作为一家功率半导体技术设计公司，佳恩半导体致力于高端半导体功率器件的设计、开发、制造及销售，拥有IGBT、MOSFET和FRD等功率半导体芯片的设计和工艺集成技术，并建有IGBT产品性能测试、应用及可靠性试验室。
产品方面，佳恩半导体自主研发的产品涵盖了600V-1200V IGBT芯片、500V-1500V MOS芯片、400V-1200V FRD芯片。
终端应用方面，佳恩半导体研发的产品被广泛应用于变频器、高铁配套设施、工业逆变控制、无刷电机驱动、电焊机、电磁感应加热、UPS、汽车充电桩及消费类开关电源等领域。（集邦化合物半导体Zac整理）
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