据悉，在半导体工艺制程中，芯片内阻越小，芯片面积越大，单芯片上缺点数越高，芯片的良率也会越差。对于10mΩ级别内阻的GaN芯片，制造难度较大。而云镓半导体近日在10mΩ内阻GaN芯片研发方面取得了突破。
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近日，据云镓半导体官微披露，其自主研发了650V/150A的大电流芯片，导通内阻典型值10mΩ，实现了E-mode GaN器件较高的电流等级。基于先进的工艺制造平台，以及云镓的自研工艺，实现了大于80%的芯片良率。
据介绍，云镓半导体此工艺研发的方案非常适合新能源汽车领域的模块需求，焊盘引脚设计更加灵活多变，降低了芯片成本，可以按照不同客户的方案，实现定制化需求。此外更小的寄生，更小的走线设计，可以提升系统性能。
官微资料显示，云镓半导体成立于2021年11月，是一家专业从事GaN功率器件及解决方案的设计公司。目前，云镓半导体已推出多款GaN功率器件及IC类产品，产品类型覆盖了100-900V电压平台，以及分立/合封/GaN IC等多种产品形态，应用场景可覆盖消费电子、数据中心、再生能源以及汽车电子等领域。
据了解，随着GaN在以快充为代表的消费应用领域迅速普及，消费类市场已全面向GaN敞开。同时，GaN器件正在向以数据中心、再生能源等为代表的工业类市场渗透。对此，云镓半导体开始着手布局工业类应用。
今年初，云镓半导体陆续推出650V GEN-2平台产品，聚焦导通电阻RDS(on)为15-100mΩ范围的低导阻、大功率应用，通过器件设计与工艺平台的共同优化，将功率器件关键性能参数Ron，max*Qg以及Ron，max*Qoss优化将近20%，较好解决了导通损耗与驱动损耗、开关损耗的trade-off问题。同时基于更优化的走线方案以及工艺制程升级，管芯面积缩减超40%，增加了每片晶圆可获取的GaN管芯的数量，降低了单颗器件成本。（来源：云镓半导体，集邦化合物半导体整理）
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