尽管目前6英寸仍是SiC产业主流，但8英寸热度正在持续走高，近期，各大厂商频频在8英寸进展方面传出利好消息，其中就包括合盛硅业。
5月14日，合盛硅业在业绩说明会上披露，其8英寸SiC衬底研发进展顺利，并实现了样品的产出，正在推进8英寸衬底的量产。具体来看，合盛硅业计划今年二季度末实现8英寸衬底片量产。届时，合盛硅业将成为SiC产业又一个实现8英寸衬底量产的玩家。
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合盛硅业SiC业务提速
作为一家工业硅及有机硅等硅基新材料产品研发、生产及销售企业，合盛硅业已发展成为国内硅基新材料行业中业务链较完整、生产规模较大的企业之一，为其切入SiC赛道进行了一定的技术储备。
在此基础上，合盛硅业SiC业务近年来持续加速拓展。投融资方面，2022年，合盛硅业全资子公司合盛新材拟进行增资，本次增资总投资金额为2亿元，增资资金在确保满足子公司正常运作所需资金需求的同时，也在一定程度上加快合盛硅业SiC业务发展、扩大业务规模。
技术研发方面，合盛硅业目前已完整掌握了SiC材料的原料合成、晶体生长、衬底加工以及晶片外延等全产业链核心工艺技术，突破了关键材料（多孔石墨、涂层材料）和装备的技术壁垒，据称，其SiC产品良率处于国内先进水平，在关键技术指标方面已追赶上国际龙头企业水平。
市场拓展方面，合盛硅业6英寸衬底和外延片已得到国内多家下游器件客户的验证，并顺利开发了日韩、欧美客户，触角从国内向全球延伸。
随着合盛硅业8英寸衬底量产，通过降本增效提升竞争力，以及在技术水平方面比肩国内外主流厂商，其SiC业务规模有望实现进一步增长。
全面进击8英寸SiC
目前，8英寸加速替代6英寸，成为SiC行业主流产品的趋势已渐趋明朗，各大厂商积极布局，从衬底、外延、设备等环节，以及产线、供货等方面全面掀起8英寸热潮，以期抢占先机。
衬底方面，青禾晶元在4月宣布，通过技术创新，在SiC键合衬底的研发上取得突破，在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底。据称，先进SiC键合衬底技术可以将高、低质量SiC衬底进行键合集成，有效利用低质量长晶衬底，与长晶技术一同推进SiC材料成本的降低。青禾晶元本次突破8英寸SiC键合衬底制备，有望加速8英寸SiC衬底量产进程。
外延方面，百识电子近期宣布正式具备国产8英寸SiC外延片量产能力。至此，国内8英寸SiC外延赛道又多了一个新玩家。目前一般外延技术只能控制表面尺寸较大的致命缺陷，密度大约1/cm2，表面微坑洞数量高达每片5,000颗以上。而百识电子独有的外延技术可将表面缺陷数量控制在密度小于0.4/cm2，表面微坑洞每片小于1,000个。
设备方面，连科半导体近日发布新一代8英寸SiC长晶炉，正式实现了大尺寸SiC衬底设备的全面供应。该设备具有结构设计紧凑、长晶工艺灵活、节约环保的特点。
产线建设方面，世纪金芯8英寸SiC加工线近期正式贯通并进入小批量生产阶段，在8英寸SiC衬底量产方向更进一步，这对于缓解国内大直径导电型SiC单晶衬底供应紧缺局面有积极意义。
签单方面，一家国内厂商近日与日本某客户签订SiC衬底订单。按照协议约定，该厂商将于2024年、2025年、2026年连续三年向该客户交付8英寸SiC衬底共13万片，订单价值约2亿美元（约14.45亿人民币）。这项合作引发了广泛关注，有望刺激更多厂商谋求8英寸供货。
上述各大厂商相关动态，彰显了8英寸SiC赛道正在蓬勃发展，未来将有更多技术研发进展、扩产项目建设、签约合作事项诞生。
小结
目前，合盛硅业客户遍及国内、东亚、欧美等区域，随着8英寸衬底正式量产，其合作伙伴数量有望进一步增长，进而不断深化全球业务布局。
同时，随着合盛硅业8英寸量产，有望在一定程度上增强国内衬底厂商的整体实力，国产替代将更有底气。（文：集邦化合物半导体Zac）
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