5月16日，据英诺赛科官微消息，其宣布推出700V GaN合封系列新品ISG610xQA。据英诺赛科介绍，该系列新品针对消费电子领域定制开发，具备超高集成度，支持45W/60W/100W/140W等手机、平板、笔记本快充应用。
source：英诺赛科
据介绍，该系列产品集成了700V/140mΩ-450mΩ GaN功率器件，具备自适应驱动电路、无损电流采样以及众多保护功能，还具备零反向恢复电荷、2MHz高开关频率、高达80V输入电压和115uA低静态电流等特性。
通过与市面上同规格的合封产品对比，ISG610xQA系列新品输入供电电压较高，静态电流较低。ISG610xQA系列新品支持AC-DC/DC-DC/DC-AC电源应用，可以适配PFC、QR反激、ACF、半桥、全桥拓扑，有利于PD快充、电源适配器等终端应用实现高效节能。
近期，英诺赛科还推出与FCQFN兼容引脚设计的Topside cooling封装En-FCQFN GaN功率器件，包含4款Single GaN，均采用En-FCQFN 封装，延续了低导阻、低栅极电荷、低开关损耗和极低的反向恢复电荷等特性，具有良好的效率表现。据介绍，相比FCQFN封装，En-FCQFN 封装在散热性能上得到进一步优化，能够帮助终端应用解决系统温升限制的困扰。
英诺赛科100V-150V GaN系列此前已有WLCSP、FCQFN、LGA等多种封装类型产品，涵盖不同的导通电阻和应用领域。英诺赛科表示，近期新增的4款与FCQFN兼容引脚设计的Topside cooling En-FCQFN封装芯片，以其不同的导通电阻及不同的封装类型，拓展了更广的功率场景，同时优化散热，能够解决客户系统过热问题。（来源：英诺赛科，集邦化合物半导体整理）
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