今年以来，SiC产业持续火热发展，带动相关厂商频频获得融资，其中有不少新面孔。近日，继SiC相关抛光研磨材料厂商盈鑫半导体完成首轮融资后，这家SiC设备厂商也官宣跟进。
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5月11日，季华恒一（佛山）半导体科技有限公司（以下简称季华恒一）在官网公布，其近日完成A轮融资。季华恒一本轮融资由优山资本领投，季华璀璨（佛山）投资有限公司跟投。
作为季华实验室（先进制造科学与技术广东省重点实验室）的科技成果产业化公司，季华恒一成立于2021年6月，专注于宽禁带半导体和新能源领域的半导体装备产业化。着力于开发满足高良率、稳定生产需求的SiC单晶生长系统、SiC高温外延生长系统、高温离子注入系统、高温氧化系统、快速退火系统、电子束蒸镀系统、磁控溅射镀膜系统等装备。
早在2022年4月，季华实验室成功研制出6英寸SiC高温外延装备，整机国产化率超过85%。同年11月，季华实验室“宽禁带半导体SiC高温外延生长装备开发和产业化”项目顺利通过中期检查。
背靠季华实验室，季华恒一近年来稳步推进SiC设备研发与产品交付。去年5月，季华恒一宣布自主研发的高温离子注入设备交付客户，可兼容4至8英寸SiC晶片的离子注入工艺。
同年7月，季华恒一为浙江芯科半导体公司提供外延、光刻、高温注入、激活退火、背面减薄、激光退火等关键工艺设备，成功试制首批6英寸1200V SiC JBS 晶圆样品。经检测，良品率超过95%。12月，其SiC激光退火设备再次交付新订单。
通过本轮融资，借助投资方的资金支持，季华恒一有望进一步提升品牌影响力和扩大市场份额。（集邦化合物半导体Zac整理）
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