扬杰科技、新洁能取得SiC、GaN相关专利

作者 | 发布日期 2024 年 05 月 13 日 18:00 | 分类 企业

近日,扬杰科技和新洁能2家第三代半导体相关厂商分别取得SiC、GaN相关专利。

图片来源:拍信网正版图库

扬杰科技取得GaN MOSFET专利

天眼查资料显示,5月10日,扬杰科技取得一项“一种氮化镓MOSFET封装应力检测结构”专利,授权公告号CN110749389B,申请日期为2019年12月1日,授权公告日为2024年5月10日。

该专利摘要显示,一种氮化镓MOSFET塑封应力检测结构、涉及功率半导体器件技术领域,尤其涉及一种氮化镓MOSFET塑封应力检测结构。提供了一种方便检测,提供检测可靠性的氮化镓MOSFET塑封应力检测结构。包括芯片、引线框架以及覆盖在芯片、引线框架上的塑封层,所述芯片包括衬底、制作在衬底上的氮化镓MOSFET结构层、制作在衬底底部的压阻、制作在衬底底面上的绝缘层、制作在绝缘层上的电极层,所述衬底的材料为单晶硅。本发明的氮化镓MOSFET塑封应力检测结构的制备工艺与常规氮化镓MOSFET芯片制备和封装工艺兼容,制备过程简单易行。

source:天眼查

此前,在第三代半导体领域,扬杰科技全面聚焦SiC产业,其2023年年报显示,公司已开发上市G1、G2系SiC MOSFET产品,型号覆盖650V/1200V/1700V 13mΩ-1000mΩ,已经实现批量出货,其中1200V SiC MOSFET平台的比导通电阻(RSP)已做到3.5mΩ.cm2以下,FOM值达到3300mΩ.nC以下,可对标国际水平。2023年,扬杰科技还开发了FJ、Easy Pack等系列SiC模块产品。目前,其各类产品已广泛应用于新能源汽车、光储充、工业电源等领域。

其中,在当前十分火热的车用场景,扬杰科技自主开发的车载SiC模块已经研制出样,目前已经获得多家 Tier1 和终端车企的测试及合作意向,计划于 2025 年完成全国产主驱SiC模块的批量上车。

在此前已组建GaN研发团队的基础上,伴随着此次扬杰科技取得新专利,其业务布局有望进一步向GaN产业加大渗透。

新洁能取得SiC SBD专利

天眼查资料显示,5月10日,新洁能取得一项“一种高耐压的碳化硅肖特基二极管及其制造方法”专利,授权公告号CN109037356B,申请日期为2018年10月15日,授权公告日为2024年5月10日。

该专利摘要显示,本发明属于半导体器件的制造技术领域,涉及一种高耐压的碳化硅肖特基二极管,半导体基板包括N型碳化硅衬底及N型碳化硅外延层,在N型碳化硅外延层内的上部设有若干个间隔分立的条形第一P型阱区及条形第一N型阱区,在条形第一P型阱区和条形第一N型阱区下方或下表面设有若干个间隔分立的条形第二P型阱区及条形第二N型阱区,条形第一P型阱区分别与条形第二P型阱区、条形第二N型阱区间呈30度~90度的夹角;本发明通过在条形第一P型阱区下方设置与条形第一P型阱区呈一定夹角的条形第二P型阱区,同时提高条形P型阱区间条形N型阱区的掺杂浓度,大幅增加器件的击穿电压,改善器件的浪涌电流能力。

source:天眼查

作为一家功率半导体厂商,新洁能目前正在全面布局第三代半导体产业两大代表材料SiC和GaN。在SiC领域,2023年,新洁能已开发完成1200V 23mΩ 75mΩ和750V 26mΩ SiC MOSFET系列产品,新增产品12款,相关产品处于小规模销售阶段。

在GaN领域,2023年,新洁能650V/190mΩ E-Mode GaN HEMT产品、650V 460mΩ D-Mode GaN HEMT已开发完成,新增产品2款,并通过可靠性考核,其100V/200V GaN产品正在开发中。

此次取得新专利,有助于新洁能进一步提升SiC SBD产品技术水平。(集邦化合物半导体Zac整理)

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