5月10日，比亚迪发布全新一代e平台3.0 Evo及首搭车型海狮07EV。据悉，海狮07EV搭载的高效十二合一智能电驱系统，全系搭载1200V SiC电控，采用23000rpm转速电机，其极速可达225km/h以上。
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在SiC模块方面，e平台3.0 Evo采用了叠层激光焊技术，取代传统的螺栓连接工艺，采用叠层激光焊SiC功率模块，杂散电感大幅降低75%，电控最高效率达99.86%，过流能力提高了10%，实现SiC功率模块性能全面跃升。
基于上述SiC功率模块，海狮07EV整车能量转化效率更高，系统的综合工况效率最高达92%，在日常城市驾驶工况下，出行效率提升7%，续航里程可提升50km。
据悉，比亚迪是国内较早引入SiC功率器件的新能源汽车厂商。早在2020年，比亚迪·汉EV成为了国内首款采用SiC的车型，同年比亚迪决定在2023年实现SiC对IGBT的全部替换。
近年来，为给其快速发展的新能源汽车业务提供功率器件产品支撑，比亚迪在SiC领域大力投资扩产。2023年6月消息，深圳市生态环境局公布了关于《比亚迪汽车工业有限公司碳化硅外延中试线量产项目环境影响报告书》受理公告。
公告显示，比亚迪拟在深圳市坪山区比亚迪汽车生产基地建设SiC外延中试线量产项目，总投资约2.14亿元，扩建后将新增SiC外延片产能6000片/年，总产能达18000片/年。
在该SiC外延中试线量产项目之前，比亚迪已投资2亿元建设了一条SiC外延片生产线，年产量为12000片。该SiC外延片生产线已于2022年1月开始建设，设备已经安装完毕，但尚未正式投入运营。
2023年11月28日，位于绍兴滨海新区的比亚迪半导体功率器件和传感控制器件研发及产业化项目一期竣工。该项目总投资100亿元，用地417亩，项目建设年产72万片功率器件产品和年产60亿套光微电子产品生产线。一期项目研发生产的功率器件、传感控制器件，均为新能源汽车核心器件。
值得一提的是，5月10日，比亚迪半导体取得一项“平面SiC MOSFET及其制造方法”专利，授权公告号CN112582461B，申请日期为2019年9月30日。
该专利摘要显示，本公开涉及一种平面栅SiC MOSFET及其制造方法，属于半导体领域，能够精准实现短沟道。一种平面栅SiC MOSFET的制造方法，包括：在外延区上形成第一掩膜；刻蚀所述第一掩膜，形成第一注入窗口；通过所述第一注入窗口在所述外延区中形成阱区；对剩余的所述第一掩膜进行刻蚀以增大所述第一注入窗口，得到第二注入窗口；通过所述第二注入窗口在所述阱区中形成浅沟道阱区，其中，所述浅沟道阱区的厚度被设置为能够将所述阱区的横向扩展对沟道端点位置的影响降低到可忽略程度的厚度；以及在形成了所述浅沟道阱区的所述阱区中形成源极区。（集邦化合物半导体Zac整理）
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