5月10日，连城数控官微消息显示，第二届第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会5月9日在江苏无锡举行。会上，连科半导体发布新一代8英寸SiC长晶炉，正式实现了大尺寸SiC衬底设备的全面供应。该设备具有结构设计紧凑、长晶工艺灵活、节约环保的特点。
source：连城数控
会上，连科半导体还与西安交通大学举行产学研合作签约仪式。本次签约旨在加强与高校、科研院所的合作以及双方在半导体领域的技术研发和人才培养，持续推动产品迭代更新。
作为连城数控全资子公司，连科半导体成立于2023年6月，专注于发展半导体产业，截至2023年12月末，连科半导体组织架构与业务流程已构建完毕。值得一提的是，连科半导体此前曾获得天岳先进首届优秀供应商称号。
业务进展方面，连城数控今年1月10日发布公告称，公司及下属全资子公司连科半导体拟与无锡市锡山区锡北镇政府签署《锡山区工业项目投资协议书》，投建第三代半导体设备研发制造项目。
根据协议，连城数控指定连科半导体作为投资主体，计划投资总额不超过10.5亿元，在无锡市投资建设半导体大硅片长晶和加工设备、SiC长晶和加工设备的研发和生产制造基地。
而在今年3月，上述协议各方正式完成《第三代半导体设备研发制造项目投资协议书》的全部签署工作。本次协议签署后，协议各方将按照约定积极推进本次项目投资事宜。
连城数控认为，本次项目投资符合公司整体发展战略规划，有利于进一步完善公司的产业布局，扩大公司生产能力，提升公司综合竞争力。
目前，连城数控业务领域涉及半导体与光伏两大赛道，产品主要包括硅、锗、SiC和蓝宝石等晶体生长、晶体加工设备，光伏电池清洗、制绒、刻蚀设备等。
2023年，连城数控在半导体领域设备持续批量出货，SiC长晶炉、合成炉、切片机及机加工设备业务与行业客户的战略合作关系进一步深化；8英寸SiC感应炉、SiC退火炉在设备及工艺上取得突破；SiC立式感应合成炉科研成果通过行业专家团鉴定；与清华大学合作大尺寸SiC电阻炉及外延炉项目。
随着连科半导体新一代8英寸SiC长晶炉正式发布及完成客户导入，连城数控将进一步深化半导体产业布局。（集邦化合物半导体Zac整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。