5月8日，据北一半导体官微披露，其成功完成了B+轮融资，由上海吾同私募基金管理有限公司领投的1亿元资金已经到位，另有5000万元投资金额在结尾工作中，预计本轮融资总额将达到1.5亿元。
图片来源：拍信网正版图库
北一半导体表示，本轮融资资金将主要用于SiC MOSFET技术的进一步研发，以及产线的升级与扩建。一方面，通过加大研发投入，加快技术创新的步伐，提升SiC MOSFET的性能指标和生产效率；另一方面，通过产线的升级与扩建，提高生产规模，满足市场需求，推动SiC MOSFET的产业化进程。
此前，北一半导体曾在2023年6月完成超1.5亿元B轮融资，本轮融资由基石资本领投，金鼎资本、中金资本参投，本轮融资资金主要用于加速公司产线扩建、产品研发、团队扩建以及市场拓展等。
官微资料显示，北一半导体成立于2017年，总部位于深圳市，生产基地位于黑龙江省穆棱市，是一家专注于Si基、SiC基功率半导体芯片及模块研发、模块生产、销售的厂商。北一半导体目前在研产品包括精细沟槽栅IGBT芯片、沟槽栅SiC MOSFET芯片、双面散热模块等，产品广泛应用于工业变频、感应加热、新能源汽车、风电及光伏领域。
SiC业务方面，2018年，北一半导体成立SiC芯片开发项目组，进行SiC二极管及MOSFET芯片调研规划；2019年，其1200V 20A SiC JBS二极管产出，可靠性通过工业级考核，1200V 40mΩ MOSFET芯片工程批流片；2021年，其1200V SiC JBS二极管及MOSFET分立器件在电源领域获得批量订单；2022年，北一半导体完成1200V等级SiC MPS芯片开发，浪涌电流达到12倍额定电流，新能源汽车用750V、1200V等级IGBT及SiC模块获小批量订单；2023年，北一半导体完成650V及1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片设计。
项目方面，2023年1月，北一半导体新建二期厂房正式全面投入使用。二期占地面积超过12500平米，产能进一步扩大，能够满足HPD模块、IGBT模块、PIM模块、IPM模块、SiC模块大量生产条件。（集邦化合物半导体Zac整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。