近日，SiC功率半导体制造基地——武汉长飞先进半导体基地项目成功完成首榀桁架吊装，标志着项目钢结构施工全面展开。该项目钢结构建设内容包括钢结构大跨度桁架屋面2座、大跨度连廊5座、超长管廊1座，单榀桁架最重25吨，最大跨度33.7米。
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据悉，该项目位于湖北省武汉市，总建筑面积约25.15万平米，建成后预计年产6英寸SiC MOSFET晶圆36万片、功率器件模块6100万个，将覆盖新能源汽车、光储充、电力电网等领域。
作为该项目主导方，长飞先进去年5月明确提出“All in SiC-十年黄金赛道”的发展战略，全面布局SiC产业。项目方面，长飞先进去年8月与武汉东湖高新区管委会正式签署了第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议。一个月后，长飞先进半导体武汉基地开工。该项目总投资预计200亿元，一期投资100亿元，可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等，一期项目预计2025年建设完成。
产品方面，长飞先进拥有完全自主知识产权的1200V Gen3 SiC MOSFET设计及工艺平台，15mΩ产品比导通电阻（Ron，sp）已达3.4mΩ·cm2，跻身国际先进水平。此外，长飞先进基于该平台的主驱SiC MOSFET晶圆产品良率达80%。
合作方面，据透露，长飞先进正在筹建SiC功率器件应用实验室，计划与安徽省内新能源产业深化合作，协同发展，合力打造SiC产业生态圈。
作为SiC功率半导体产品研发及制造厂商，长飞先进具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力，可年产6万片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圆、640万只功率模块、1800万只功率单管，目前可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相关产品。（集邦化合物半导体Zac整理）
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