4月23日，据芯赛威官微消息，广东芯赛威科技有限公司（以下简称芯赛威）近日与能华科技发展有限公司（以下简称能华半导体）成功签署了战略合作协议。
source：芯赛威Sifirst
据介绍，芯赛威与能华半导体的合作主要以电源驱动芯片和氮化镓（GaN）器件技术为基础，为客户提供更加小型化、高功率密度、高性价比的新一代电源管理方案。芯赛威驱动与能华半导体GaN技术结合的方案相对市面较普遍的GaN方案而言具有更低的成本、更好的可靠性、更高的生产直通率，降低了对电源生产环境的要求，有利于推广和应用。
据悉，芯赛威成立于2009年6月，是一家以电源管理芯片为主的模拟和数模混合半导体供应商，其电源芯片产品广泛应用于工业控制、网络通讯、照明、光学防抖、家用电器、消费类电子等领域，并布局光储和汽车领域。
能华半导体则于2010年成立，是一家GaN功率器件厂商。能华半导体采用IDM全产业链模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si），蓝宝石基GaN（GaN-on-Sapphire），碳化硅基GaN（GaN-on-SiC）晶圆与器件的研发、设计、制造与销售，能华半导体的6英寸/8英寸GaN晶圆和功率器件涵盖40V-1200V。据称，能华半导体是全球为数不多同时掌握增强型GaN技术、耗尽型GaN技术以及耗尽型GaN直驱方案的半导体公司。
目前，能华半导体已实现了GaN器件全功率范围的量产，主要应用市场包括消费电子、电动工具、数据中心、照明电源、便携储能、微型逆变器、电动汽车、智能电网等领域。
值得一提的是，在2024年3月22日于上海举办的SEMICON功率及化合物半导体国际论坛和同期举行的深圳2024世界氮化镓大会上，能华半导体发布了最新研发的1200V功率GaN产品。
能华半导体表示，GaN功率器件曾经被广泛认为适用于中高压（650V-900V）领域，在1200V及以上的应用中仍存在一定难度，主要的挑战在于高电压下的耐压和可靠性。能华半导体通过优化外延材料和工艺制程，采用蓝宝石衬底及特殊的缓冲层结构，并结合关键的工艺制程，成功研发出了能够应对1200V电压的耗尽型GaN功率器件。（集邦化合物半导体Zac整理）
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