近日，据西永微电园官微消息，重庆三安相关负责人表示，三安意法半导体项目已实现主体结构封顶，正在进行室内装修和设备采购，预计今年8月将实现点亮投产，比原计划提前2个月。据此前消息，重庆三安意法半导体项目包括一个SiC功率芯片厂和一个SiC衬底厂。
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据悉，2023年6月，意法半导体官宣将与三安光电成立一家合资制造厂，进行8英寸SiC器件大规模量产。该合资厂全部建设总额预计约32亿美元（约230亿人民币），占地462亩，总建筑面积26.5万平方米，采取一次建设分期投产方式，规划达产年生产能力为8英寸车规级SiC MOSFET功率芯片48万片，主要应用在新能源汽车主驱逆变器、充电桩和车载充电器上。
意法半导体官网资料显示，该合资厂将采用意法半导体SiC专利制造工艺技术，专注于为意法半导体生产SiC器件。三安光电也披露，该工厂制造的SiC外延、芯片将独家销售给意法半导体或其指定的任何实体。
为主导该合资项目实施，湖南三安半导体有限责任公司和意法半导体（中国）投资有限公司于2023年8月共同出资成立安意法半导体有限公司，注册资金6.12亿美元，双方持股比例分别为51%、49%。
为满足该合资厂的衬底需求，三安光电也将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，规划总投资70亿人民币，占地276亩，采取一次建设分期投产方式，规划达产年生产能力为8英寸SiC衬底48万片，合资公司将与湖南三安签订长期SiC衬底供应协议。
为推进SiC衬底制造厂项目实施，湖南三安半导体有限责任公司于2023年7月全资设立重庆三安半导体有限责任公司，注册资本18亿人民币。
整体来看，重庆三安意法半导体项目总投资约300亿元，全面整合了8英寸车规级SiC衬底、外延、芯片的研发制造，致力于建设技术先进的8英寸SiC衬底和芯片工厂。（集邦化合物半导体Zac整理）
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