4月9日,上交所官网披露,拉普拉斯新能源科技股份有限公司(以下简称拉普拉斯)首次公开发行股票并在科创板上市的注册申请已在3月27日获批生效。
拉普拉斯此次IPO拟募资18亿元,募集资金主要用于光伏高端装备研发生产总部基地项目、半导体及光伏高端设备研发制造基地项目以及补充流动资金。其中,光伏和半导体两个项目投资总额分别为7.70亿元、7.98亿元,拟使用募集资金投入金额均为6亿元。
作为一家高效光伏电池片核心工艺设备及解决方案提供商,拉普拉斯主营业务为光伏电池片制造所需高性能热制程、镀膜及配套自动化设备的研发、生产与销售,并可为客户提供半导体分立器件设备和配套产品及服务,其半导体分立器件设备主要包括氧化、退火、镀膜和钎焊炉设备等一系列产品。
据悉,在半导体分立器件领域,拉普拉斯相关设备已完成向比亚迪、基本半导体的导入工作。其中,基本半导体专业从事SiC功率器件的研发与产业化,核心产品包括SiC二极管和MOSFET芯片、汽车级SiC功率模块、功率器件驱动芯片等,广泛用于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域。
目前,针对火热的SiC产业,拉普拉斯已推出了相关设备。招股书显示,拉普拉斯半导体分立器件设备产品包括SiC基半导体器件用超高温氧化炉和SiC基半导体器件用超高温退火炉。其中,SiC基半导体器件用超高温氧化炉用于SiC的高温氧化工艺,高温下使硅片表面发生化学反应形成氧化膜,从而起到钝化、缓冲隔离、保护等作用;SiC基半导体器件用超高温退火炉用于SiC的高温退火活化工艺,可以消除晶格缺陷,有效提高器件的可靠性和成品率。
业绩方面,招股书显示,报告期内(2021年度、2022年度及2023年度),受益于新型高效光伏电池片产业化进展,拉普拉斯经营规模和盈利水平均呈现出快速增长的趋势,其营收分别为1.04元、12.67亿元及29.66亿元,扣非归母净利润分别为-0.66亿元、1.08亿元及3.59亿元。
拉普拉斯表示,其半导体分立器件设备目前正处于客户导入和验证阶段,报告期内的收入为0万元、564.60万元及1,714.40万元,半导体分立器件设备业务处于起步阶段、规模较小,尚未形成持续性、稳定性和规模化的销售收入。(集邦化合物半导体Zac整理)
更多SiC和GaN的市场资讯,请关注微信公众账号:集邦化合物半导体。