今年2月，合肥世纪金芯半导体有限公司（以下简称世纪金芯）8英寸SiC加工线正式贯通并进入小批量生产阶段，在8英寸SiC衬底量产方向更进一步。
source：世纪金芯
据介绍，世纪金芯采用模拟软件，首先对坩埚、保温层和加热器等组成的热场进行模拟计算，营造符合实际生长过程的温度和温度梯度，并通过多次优化数据库参数，准确反映出温场及余料情况，生长晶体的4H-SiC晶型稳定性在90%以上。
世纪金芯基于6英寸晶体研发生产经验，结合8英寸晶体生长的热场结构设计及工艺特性，在高稳定性长晶炉的基础上，采取了独特的保温设计和先进的热场分区结构，开发出适用于8英寸SiC稳定生长的工艺技术，逐步减少生长温度、时间、气压、功率等参数变化量，获得可重复性稳定参数，大幅提升了长晶的稳定性、重现性，突破了大尺寸、低应力等SiC晶体制备关键技术。
据称，世纪金芯开发的8英寸SiC单晶生长技术可重复生长出4H晶型100%、直径大于200mm、厚度超过10mm的晶体。8英寸加工线也同步建成，将配套8英寸单晶生长，通过进一步优化工艺，预期世纪金芯的8英寸SiC晶锭厚度将达到20mm以上。
世纪金芯自2019年12月成立以来，致力于第三代半导体SiC功能材料研发与生产，已经解决了高纯SiC粉料提纯技术、6英寸SiC单晶制备等关键技术。
2022年9月，世纪金芯年产3万片6英寸SiC单晶衬底项目正式投产，能在一定程度上缓解国内大直径导电型SiC单晶衬底供应紧缺局面。（集邦化合物半导体Zac整理）
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