3月26日，在三菱电机举办的主题为可持续发展倡议在线会议上，三菱电机宣布将对有望成为下一代半导体的氧化镓（Ga2O3）进行投资研发。与主要用于电动汽车（xEV）的碳化硅（SiC）功率半导体相比，三菱电机称这一布局是“为扩大更高电压的市场”。
三菱电机表示，2024年~2030年，公司将投入约9000亿日元（折合人民币约430亿元）用于碳化硅、氧化镓等下一代功率半导体、材料和产品的回收利用、可再生能源等绿色领域的研发。
据了解，2023年7月，该公司宣布已投资Novel Crystal Technology（NCT），后者是一家生产用于功率半导体的氧化镓衬底和外延片的公司。三菱电机的功率半导体设计和制造技术将与NCT的氧化镓晶圆技术相结合。
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在这次会议上，三菱电机明确表示将投资并开始全面研发氧化镓功率半导体。与碳化硅和氮化镓（GaN）相比，氧化镓具有更高的带隙能量，在电力基础设施、可再生能源和铁路等需要特别高耐压的应用中很有前途。
三菱电机还在努力增加用于器件制造的碳化硅衬底的尺寸。2023年5月，公司宣布将与美国相干（Coherent）公司共同开发尺寸为8英寸（200mm）的碳化硅衬底。
在这次发布会上，三菱电机总裁Kei Urushima表示，联合开发将以”从Coherent接收衬底，采用我们的技术，然后将其返还给Coherent”的形式进行。
近年来三菱电机一直在向Coherent采购6英寸（150mm）碳化硅衬底。2023年10月，三菱电机和电装公司宣布将共同向从Coherent分拆出来的碳化硅业务公司各投资5亿美元，总计10亿美元（折合人民币约72亿元）。（文：集邦化合物半导体Morty编译）
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