近日，天岳先进临港工厂第二阶段扩产项目、杭州士兰测试生产基地项目、三责新材南通半导体设备用SiC部件项目二期等均披露了最新进展。
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天岳先进：临港工厂第二阶段产能规划步入议程
根据2022年募投计划，天岳先进于上海临港建设SiC衬底生产基地，扩大公司导电型SiC单晶衬底产能，原计划于2022年试生产、2026年达产，实现年产能30万片导电型SiC衬底。
今年2月，天岳先进曾表示，上海临港新工厂已于2023年5月开始交付6英寸导电型SiC衬底，目前产能和产量均在持续爬坡中。按照目前的进展来看，天岳先进预计将提前实现达产。
在上海临港开始交付6英寸衬底产品基础上，天岳先进在2023年下半年决定将6英寸SiC衬底的生产规模扩大至96万片/年，相当于产能比原计划扩大220%。上海临港工厂达产后，将成为天岳先进导电型SiC衬底主要生产基地。
3月25日，天岳先进在投资者互动平台表示，目前临港工厂扩产进展顺利，产品交付有序推进。目前临港工厂第二阶段的产能规划也已经步入议程，公司将继续根据下游市场和客户需求情况，推进临港工厂产能产量提升。
天岳先进近日发布的2023年度业绩快报显示，其在2023年实现营收约12.51亿元，同比增长199.90%。关于营收增长原因，天岳先进表示，主要是SiC半导体材料市场规模不断扩大，公司导电型产品产能产量的持续提升，导电型产品营业收入大幅增长所致。
随着上海临港工厂第二阶段产能规划逐步落地实施，天岳先进营收有望继续保持较高增速。
杭州士兰测试生产基地项目开工
3月20日，士兰微旗下杭州士兰测试生产基地项目正式开工。
浙江中南控股集团消息显示，杭州士兰测试生产基地项目总用地面积49072㎡；项目总建筑面积96214㎡，其中新建地下总建筑面积26992.32㎡，拟主要建设2#测试生产楼、3#测试生产楼及连廊等，计划工期为900个日历天。
本次士兰微投建杭州士兰测试生产基地项目，有望与士兰微募投项目和技术研发协同发展。
2023年11月22日晚间，士兰微发布的《向特定对象发行A股股票发行情况报告书》（以下简称报告书）显示，公司本次完成发行2.48亿股公司股份，发行价格为20元/股，募集资金总额为49.6亿元，募集资金净额约49.13亿元。
报告书显示，公司本次向特定对象发行募集资金拟用于投资建设“年产36万片12英寸芯片生产线项目”、“SiC功率器件生产线建设项目”、“汽车半导体封装项目（一期）”等。
与此同时，士兰微表示将持续加大对模拟电路、功率器件、功率模块、SiC MOSFET等新产品的研发投入，加快汽车级、工业级电路和器件芯片工艺平台的建设进度，加大汽车级功率模块和新能源功率模块的研发投入。
三责新材：南通半导体设备用SiC部件项目二期开工
3月15日，三责新材南通二期高精度高纯度半导体设备用SiC部件项目在南通开发区开工,项目预计2026年投产。
官网资料显示，三责新材成立于2014年，总部位于江苏南通，业务中心位于上海，?旗下设有江苏南通、河南南阳两大制造基地，在全国拥有多个先进陶瓷和SiC材料研发中心。据悉，2020年，三责新材南通一期项目开工建设。
三责新材自成立以来，受到资本青睐，截至目前，三责新材已完成了8轮融资。其中包括2023年4月的数亿元人民币Pre-IPO轮融资，本轮融资由永鑫方舟联合光控集团领投，老股东恒信华业等继续追加投资，融资资金将用于公司产线建设。
据称，三责新材的无压烧结挤出成型工艺打破国外20多年的技术垄断，产品性能优异，已广泛应用于精细化工、锂电池、显示玻璃、泛半导体等众多领域。（集邦化合物半导体Zac整理）
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