3月20日，杭州镓仁半导体有限公司（下文简称“镓仁半导体”）宣布，公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法于今年2月成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga2O3)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片。
6英寸非故意掺杂（上）与导电型（下）氧化镓单晶（source：镓仁半导体）
镓仁半导体表示，基于上述成果，其也成为了国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。
据介绍，镓仁半导体是一家专注于氧化镓等宽禁带半导体材料研发、生产和销售的科技型企业。
镓仁半导体指出，此次制备6英寸氧化镓衬底采用的铸造法，具有以下显著优势：第一，铸造法成本低，由于贵金属Ir的用量及损耗相比其他方法大幅减少，成本显著降低；第二，铸造法简单可控，其工艺流程短、效率高、尺寸易放大；第三，铸造法拥有完全自主知识产权，中国和美国专利已授权，为突破国外技术垄断，实现国产化替代奠定坚实基础。
公开资料显示，氧化镓是一种超宽禁带材料，超越了目前已经商用器件的禁带宽度，达到了4.2电子伏特以上，也有人称之为第四代半导体材料。相比于以碳化硅，氧化镓的制造成本较低。
就氧化镓衬底方面来看，日本的NCT目前占据领先地位。但随着国内企业制备氧化镓衬底的技术升级和产能提升，总体呈现追赶态势，后续有望获取更多氧化镓市场。
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