近日,合计投资91.8亿元的芯粤能和晶旭半导体两个第三代半导体项目同时披露了最新进展。
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芯粤能SiC芯片制造项目加速一期产能爬坡
在这两个项目当中,芯粤能碳化硅(SiC)芯片制造项目是广东“强芯工程”重大项目,总投资额为75亿元,占地150亩,一期投资35亿元,建成年产24万片6英寸SiC芯片的生产线,二期建设年产24万片8英寸SiC芯片的生产线,产品包括IGBT、SiC SBD/JBS、SiC MOSFET等功率器件,主要应用于新能源汽车、光伏、智能电网等领域。
据此前报道,这是国内唯一一个专注于车规级、具备规模化产业聚集及全产业链配套能力的SiC芯片制造项目。
从该项目进度来看,2023年1月,广东省能源局发布芯粤能“面向车规级和工控领域的碳化硅芯片制造项目”节能报告的审查意见,原则同意该项目节能报告。
2023年3月底,芯粤能一期项目已经试投产,计划2024年12月底达产。在一期达产的同时,芯粤能将启动二期项目,预计2026年达产。芯粤能预计项目一期达产后年产值40亿元,二期达产后合计年产值将达100亿元。
2023年6月,芯粤能表示其车规级SiC芯片产线已经进入量产阶段,包括1200V 16毫欧/35毫欧等一系列车规级和工控级SiC芯片产品,各方面测试数据良好,陆续交付多家主机厂和客户送样验证。芯粤能称已签约COT客户10余家,并即将完成4家客户规格产品量产。
近日,据芯粤能晶圆厂厂长邵永华介绍,目前整个工厂正在扩产爬坡,预计今年年底实现年产24万片6英寸车规级SiC芯片的规划产能。预留的8英寸产线就在6英寸产线隔壁,建成后将具备年产24万片8英寸车规级SiC芯片的能力。
在芯粤能SiC芯片制造项目当中,无尘车间于2022年11月正式启用,目前已经实现月产1万片产能,车规级和工控级芯片成功流片并送样,即将完成车规认证。截至目前,芯粤能已与40多家客户签约流片,覆盖全国大部分SiC芯片设计企业。
晶旭半导体二期项目预计8月主体落成
近日,据上杭融媒消息,晶旭半导体二期项目已完成三通一平工程量的90%,现正进行地基施工中。该项目总投资16.8亿元,建设136亩工业厂区,将建成全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线。
据项目负责人介绍,晶旭半导体二期项目于2023年12月份开建,目前已经完成了整个桩基地下工程部分,正在做桩基测试部分。预计在4月底5月初完成主体生产厂房封顶,8月份整个项目的主体工程落成。
该负责人表示,晶旭半导体二期项目主要生产氧化镓基(超光镜)材料滤波器芯片,首批产线规划实现400KK的年产能。
据了解,作为一家拥有5G通信中高频体声波滤波芯片(BAW)全链条核心技术、以IDM模式运行的厂商,晶旭半导体核心技术是基于单晶氧化镓为压电材料的体声波滤波器芯片,拥有独立自主知识产权,已取得多项技术创新。
值得一提的是,今年2月初,晶旭半导体完成亿级人民币战略融资,由睿悦控股集团独家投资,助力其实现年产75万片氧化镓外延片、12亿颗滤波器芯片。(集邦化合物半导体Zac整理)
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