3月4日，中国振华（集团）科技股份有限公司（下文简称“振华科技”）在投资者关系平台表示，“十四五”期间，公司大力发展以SiC、GaN为代表的第三代半导体。SiC方面，未来公司将具备芯片自主设计、封测能力，实现SiC SBD系列产品自制，同时开展SiC VDMOS系列产品的设计开发工作，形成SiC VDMOS设计能力。
据公开资料显示，振华科技成立于1997年，前身是国家“三线”建设的军工电子083基地，历经二十多年发展已经成为国内电子元器件行业的龙头企业。目前公司主营业务涉及基础元器件、混合集成电路、电子功能材料等门类。
source：振华科技
值得一提的是，振华科技既是国内军用电子元器件龙头企业，也是CEC旗下振华集团的唯一上市平台。
根据振华科技2023年第三季报显示，去年前三季度公司营收约60.29亿元，同比增长5.76%；归属于上市公司股东的净利润约为20.58亿元，同比增长10.45%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润约为19.98亿元，同比增长9.37%。
据悉，SiC SBD凭借优异的电气特性，如高耐压、低正向压降、快速恢复时间等，可以应用于电动汽车、充电桩、光伏逆变器、高铁和智能电网、工业级电源以及电源管理等领域之中，应用前景广、需求大。
振华科技此举有望加速国内SiC器件应用的普及化，提升本土SiC功率器件自给率。
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