近日，天岳先进碳化硅（SiC）半导体材料项目和嘉兴斯达微电子有限公司（以下简称嘉兴斯达）高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目相继传出利好消息。
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天岳先进将投资5亿元推进SiC材料项目
3月2日，天岳先进发布公告称，将此前公司首次发行股票并在科创板上市募资净额32亿元的部分闲置资金，在不影响募集资金投资项目建设进度的前提下，使用不超过5亿元投资“碳化硅半导体材料项目”。
公告显示，根据募集资金投资项目的资金使用计划及项目的建设进度，公司在确保不影响募集资金投资项目建设进度的前提下，为了提高募集资金使用效率，降低公司财务成本，公司拟使用不超过人民币5亿元（含本数）的闲置募集资金暂时补充流动资金，使用期限自公司董事会审议通过之日起不超过12个月，并且公司将随时根据募集资金投资项目的进展及需求情况及时归还至募集资金专用账户。
根据2022年募投计划，公司将于上海临港建设SiC衬底生产基地，扩大公司导电型SiC单晶衬底产能，原计划于2022年试生产、2026年达产，实现年产能30万片导电型SiC衬底。
上个月，天岳先进曾表示，上海临港新工厂已于2023年5月开始交付6英寸导电型SiC衬底，目前产能和产量均在持续爬坡中。按照目前的进展来看，天岳先进预计将提前实现达产。
在此基础上，天岳先进在2023年下半年已决定通过优化生产工艺、调整生产设备等方式，将6英寸SiC衬底的生产规模扩大至96万片/年，相当于产能比原计划扩大220%。上海临港工厂达产后，将成为天岳先进导电型SiC衬底主要生产基地。
此次加码注资，天岳先进有望更加稳健推进SiC材料项目实施。
嘉兴斯达SiC芯片研发及产业化项目预计3月正式投产
3月4日，浙江嘉兴南湖区发布消息称，南湖区有14个项目入选浙江省“千项万亿”工程，其中披露了嘉兴斯达高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目等3个项目将于今年投产。
具体来看，嘉兴斯达高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目计划于今年3月投入使用，总投资20亿元，投产后可实现36万片功率芯片年产能。
资料显示，嘉兴斯达成立于2021年2月，是斯达半导体股份有限公司（以下简称斯达半导体）全资子公司，后者成立于2005年4月，专业从事以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售服务。
在SiC业务方面，斯达半导体于2021年6月募资35亿元建设4个项目。其中，与SiC相关的2个项目——“SiC芯片研发及产业化”和“功率半导体模块生产线自动化改造项目”落户浙江嘉兴南湖区。
2022年6月，嘉兴斯达的SiC项目入选2022年浙江省重点建设和预安排项目计划；2023年4月，上述2个SiC项目的两幢厂房宣布开始调试设备，其他厂房正在等待验收。
2023年上半年，斯达半导体表示应用于乘用车主电机控制器的SiC MOSFET模块正在持续放量，同时公司使用自主SiC MOSFET芯片的车规级SiC MOSFET模块在主电机控制器客户完成验证并小批量出货。
随着嘉兴斯达SiC芯片项目投产，斯达半导体SiC业务有望获得新的业绩增量。（集邦化合物半导体Zac整理）
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