3月2日，拓荆科技股份有限公司（下文简称“拓荆科技”）发布公告称，公司基于整体战略布局及经营发展的需要，为加快产能规划及产业布局，拟投资建设“高端半导体设备产业化基地建设项目”。
据公告披露，该项目建设周期预计为4 年（最终以实际开展情况为准）。该项目拟在沈阳市浑南区购置土地建设新的产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等。该产业化基地建成后，将进一步提高公司的产能，以支撑公司 PECVD、SACVD、HDPCVD 等高端半导体设备产品未来的产业化需求，从而推动公司业务规模的持续增长，提升公司整体竞争力和盈利能力。
拓荆科技表示，此次建设新项目，出于两点考虑：
一是符合国家发展战略，巩固公司行业地位。
二是有利于公司把握市场需求，抓住市场机遇。
该项目计划总投资金额约为人民币110,000.00 万元（最终项目投资总额以实际投入为准），其中以变更用途的募集资金投入人民币 25,000.00 万元，其余项目资金人民币 85,000.00 万元由拓荆科技股份有限公司（以下简称“公司”）及公司全资子公司拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司（以下简称“拓荆创益”）自筹。
关于变更用途的募集资金，公司拟调减首发募投项目“先进半导体设备的技术研发与改进项目”募集资金承诺投资总额人民币20,000.00万元，同时调减超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”的募集资金承诺投资总额人民币5,000.00万元，合计人民币25,000.00万元用于投入本项目。
在此次变更后，公司首次公开发行募集资金的募投项目情况如下：
据悉，拓荆科技作为国内薄膜沉积行业领军者，其产品线包括离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三大系列。产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。
值得一提的是，拓荆科技近日公布了其2023年度业绩快报。报告显示，2023年度公司实现营业收入270,497.40万元，同比增长58.60%；归属于母公司所有者的净利润 66,465.69万元，与上年同期（调整后）相比增长80.38%；归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润31,330.27万元，与上年同期（调整后）相比增长75.96%。
提前布局高端半导体设备，符合国内半导体产业发展趋势，帮助企业在高端半导体设备市场占据一定先机的同时，或在一定程度上助力国内半导体产业走向高端化。
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