2月26日，河北普兴电子科技股份有限公司（以下简称普兴电子）官网信息显示，公司“6英寸低密度缺陷碳化硅外延片产业化项目”进行了第一次环境影响评价信息公示（以下简称公告）。
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公告显示，本项目总投资35070.16万元，利用公司1#厂房进行改扩建，建筑面积约4000平米，购置碳化硅（SiC）外延设备及配套设备116台（套）形成一条6英寸低密度缺陷SiC外延材料生产线。项目建成后，将实现年产24万片SiC外延片的生产能力。
普兴电子官网资料显示，公司成立于2000年11月，致力于高性能半导体材料的外延研发和生产，是中电科半导体材料有限公司（以下简称电科材料）控股子公司。普兴电子的主要产品为各种规格型号的硅基外延片、氮化镓（GaN）和SiC外延片，可广泛应用于清洁能源、新能源汽车、航空航天、汽车、计算机、平板电脑、智能手机、家电等领域。
近年来，电科材料下属普兴电子积极布局第三代半导体外延材料的研发生产，在2021年9月启动了占地面积130亩的新外延材料产业基地建设项目，并于2022年4月完成主厂房封顶，9月搬入首批生产、检验设备，11月即实现了首片硅外延和SiC外延下线，标志着该产业基地正式进入试生产和验证阶段。
据悉，2022年4月，普兴电子还公示一项“6英寸碳化硅外延片产业化项目”，本项目总投资18000万元，租用同辉公司（隶属于中电科十三所）现有厂房，采购SiC外延炉15台及配套测试仪器等，建设完成1条6英寸SiC外延片批量生产线，实现年产6英寸SiC外延片6万片的生产能力。
随着6英寸低密度缺陷SiC外延片产业化项目落地实施，普兴电子6英寸SiC外延片产能将得到较大提升，有助于公司进一步深化第三代半导体外延材料领域布局。（集邦化合物半导体Zac整理）
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