2月2日，淄博绿能芯创电子科技有限公司（以下简称淄博绿能芯创）官微发布消息称，西安A客户使用淄博绿能芯创6英寸碳化硅（SiC）1200V MOSFET代工制造平台，2种不同设计的1200V 20mΩ MOSFET首轮流片成功。
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据介绍，客户此次流片，使用经绿能芯创验证过的国产衬底和国产外延片，搭配绿能芯创自行开发的1200V低电阻MOSFET代工制造平台，所有电性参数皆达标，两种不同设计首轮流片良率分别为67%和63%。
据悉，淄博绿能芯创是北京绿能芯创电子科技有限公司（以下简称绿能芯创）控股子公司（持股比例为97%），后者成立于2017年12月，是一家半导体功率器件生产销售商，为用户提供MOSFET、SBD等分立高功率产品的设计、制造流程、技术及应用开发服务。绿能芯创现有一座6英SiC晶圆厂，规划产能1万片/月，且计划筹建第二座晶圆厂。
作为绿能芯创控股子公司，淄博绿能芯创成立于2019年12月，目前在SiC功率器件领域已有一定的实力。2022年11月，淄博绿能芯创收到产品测试报告，公司1200V SiC二极管功率器件产品通过第三方权威检测机构AEC-Q101车规认证测试，报告显示该产品各项指标均符合测试要求标准，认证予以通过。同时，公司1200V SiC MOSFET管AEC-Q101正在认证中。
资料显示，AEC（Automotive Electronics Council）汽车电子委员会建立了汽车电子质量控制标准，要求车载器件性能标准化。AEC-Q101车规认证已成为国际通用车规级电子器件必备认证之一。AEC-Q101实验报告所含项目均在车辆可能遭遇高严苛环境下模拟测试，以此保证实际器件的安全性与可靠性。
2023年10月，淄博绿能芯创官微宣布公司MOSFET系列产品1200V/40mΩ及以上规格，650V/40mΩ及以上规格，晶圆代工平台已通过可靠性1000H（175℃）认证，开始接受客户代工服务。通过上述认证，为淄博绿能芯创客户1200V 20mΩ SiC MOSFET首轮流片成功创造了条件。（集邦化合物半导体Zac整理）
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