在与英飞凌、MPS、SemTech、Nexperia、斯达半导体、上海韦矽微、比亚迪半导体、上海贝岭等国内外知名企业牵手后，积塔半导体合作伙伴阵营近日再次扩容。
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2023年12月28日，“中国半导体教父”、现任积塔半导体执行董事张汝京博士、积塔半导体总经理周华博士一行到访宁波安建半导体有限公司（以下简称安建半导体）。张汝京等一行参观了安建半导体模块产线，了解了安建的模块产品类型、下游客户和出货产能情况。双方就安建半导体在积塔的产品需求和后续产品开发项目进行了探讨和总结，并对以下合作达成一致：加速完成安建在积塔代工的平面型碳化硅（SiC）MOS器件开发，并携手迈进新一代沟槽型SiC MOS器件开发；马上启动基于8英寸薄片和氢注入工艺的高端FRD产品开发。
在SiC器件方面，积塔半导体早在2020年就布局了业内领先的6英寸SiC产线，目前已覆盖JBS和MOSFET等，建成了自主知识产权的车规级650V/750V/1200V SiC JBS工艺平台和650V/750V/1200V SiC MOSFET工艺平台。
2022年，积塔半导体明确在上海临港投资二期项目，新增固定资产投资预计超过260亿元。二期项目建成后，积塔半导体的产能将得到较大提升，实现功率器件、模拟IC、MCU产品等汽车芯片量产，预计在2025年将达到30万片8英寸等效晶圆的产能。
此次与积塔半导体就SiC器件开发达成合作的安建半导体，在业内也有一定的实力。成立于2021年7月的安建半导体，是一家半导体功率器件厂商。成立不到三年时间，安建半导体已完成3轮融资，其中包括2022年3月的1.8亿人民币B轮融资。
具体来看，安建半导体B轮融资的投资方包括超越摩尔投资、弘鼎资本、龙鼎投资、联和资本、君盛投资、金建诚投资、万有引力资本等众多机构，募集资金将主要用于高、低压MOS和IGBT全系列产品开发、SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。
从本次合作情况来看，双方开发项目将由平面型SiC MOS器件转向沟槽型SiC MOS器件，或与沟槽型SiC MOS器件优势有关。
据悉，量产沟槽型SiC MOS器件的厂商普遍认为，相比平面型结构，沟槽型SiC MOS在成本和性能方面都具有较强优势。罗姆是率先转向沟槽型SiC MOS的公司，而英飞凌并没有选择进入平面结构市场，而是直接选择了沟槽结构，此外，电装的沟槽型SiC MOS也已正式商用。（集邦化合物半导体Zac整理）
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