1月15日，江苏诚盛科技——麒思大功率器件项目在江苏扬州高邮正式发布。项目计划总投资9亿元，主要生产大功率器件、SiC、IGBT模块封测等产品。
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据悉，该项目由诚盛科技控股（持股比例94%）子公司麒思电子承担。麒思电子自建厂房总面积30740㎡，其中23000㎡用于生产车间。项目分两期实施，一期投入4.8 亿元，预计将于今年8月量产，可年产分立器件3.3亿只、模块120万只。
作为一家专注芯片设计，晶圆制造，芯片封装测试及OLED显示模组研发、生产、销售和服务的厂商，诚盛科技通过控股子公司投建SiC相关项目，看中的是SiC产业日益增长的市场规模。
除麒思电子外，近期还有其他厂商也签约启动了SiC相关项目，包括连城数控第三代半导体设备研发制造项目、大江半导体新建SiC项目等。
其中，连城数控1月10日发布公告称，公司及下属全资子公司连科半导体拟与无锡市锡山区锡北镇政府签署《锡山区工业项目投资协议书》，投建第三代半导体设备研发制造项目。根据协议，连城数控指定连科半导体作为投资主体，计划投资总额不超过10.50亿，在无锡市投资建设SiC长晶和加工设备的研发和生产制造基地。
据了解，2023年上半年，连城数控液相法SiC长晶炉顺利下线并取得客户数台订单，而SiC立式感应合成炉科研成果也通过了专家团的鉴定。
此外，浙江省发改委官网近日公示，2024年度浙江省重大产业项目拟新增1个SiC项目，总投资38亿元，共计建筑面积77745.78平米，由大江半导体承担。
另外根据杭州规划和自然资源局官网公布的《萧政工出〔2023〕30号功率器件封装模块制造项目环境影响报告表》内容指出，该项目计划生产SiC功率模块。项目建成后，具有年产SiC功率模块240万个。
除即将新建的项目外，近期还有多个SiC相关项目取得进展，包括天科合达SiC晶片二期扩产项目、苏州纳米城第三代半导体产业基地项目等。
其中，天科合达SiC晶片二期扩产项目于12月28日全面封顶。据介绍，天科合达SiC晶片二期项目总投资8.3亿元，建筑面积约5万平方米，购置安装单晶生长炉及配套的多线切割机，外圆及平面磨床，双磨研磨机等主要生产设备以及配套动力辅助设备合计647台（套），预计2024年6月竣工，全部达产后年产SiC衬底16万片。
此外，苏州纳米城国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地项目企业总部工程于12月29日交付。该项目于2022年1月14日开工，首期占地105亩，总建筑面积超20万平方米，将布局建设符合第三代半导体创新的3万平方米高标准洁净厂房以及配套设施。（集邦化合物半导体Zac整理）
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