1月11日，瑞萨电子与Transphorm共同宣布双方已达成最终收购协议，根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元（约24.27亿人民币）。
source：瑞萨电子
瑞萨电子表示，此次收购将为瑞萨提供GaN的内部技术，瑞萨将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型电源解决方案，例如用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案，以及面向计算、能源、工业和消费应用的解决方案。
资料显示，Transphorm是美国一家GaN功率器件生产商，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的GaN半导体功率器件。在车用领域，Transphorm的GaN产品在业内最早通过车规级认证，拥有丰富的产品系列。
Transphorm此前在2023年第3季财报会议上便表示有整并或出售计划，公司在2022年全球GaN功率器件厂商营收排名第6。瑞萨电子则在这两年开始大规模投资宽禁带半导体，SiC方面已经和Wolfspeed签订了长期的材料供应协议，并计划在2025年开始量产SiC功率半导体，GaN方面此前曾与GaN Systems联手开发电动车DC-DC转换器。
近年来，GaN技术在混合型和全电动汽车、消费电子产品、智能手机以及其他产品的制造中得到广泛应用，发展潜力较大。为迎合不断增长的市场需求，Transphorm近期频频推出各种GaN产品。
2023年11月，Transphorm宣布推出三款TOLL封装的SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备市场上主流的代工e-mode氮化镓缺乏的高压动态（开关）导通电阻可靠性。
同在11月，Transphorm和Allegro MicroSystems宣布合作，联合Transphorm的SuperGaN FET和Allegro的AHV85110隔离栅极驱动器，借此扩展GaN电源系统设计在高功率应用范围。
11月底，Transphorm推出了一款TOLT封装形式的SuperGaN FET。该新产品TP65H070G4RS晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装GaN器件。
目前，瑞萨电子已成为世界十大半导体芯片供应商之一，被瑞萨电子收购后，借助瑞萨全球化布局、广泛的解决方案以及客户资源，Transphorm有望推出更多契合市场和用户需求的GaN产品，进而更好地拓展业务。
同时，Transphorm的GaN晶圆来源于同在日本会津的AFSW工厂，该晶圆厂是Transphorm与富士通半导体在2013年合资建设的子公司，是全球首屈一指的高质量、可靠的高压 GaN 功率半导体晶圆制造工厂。2021年，Transphorm联合JCP Capital完成了对AFSW晶圆厂的100%股权收购。因此，这也是助力此次收购案的另一大重要原因。
值得一提的是，2023年3月，英飞凌宣布拟以现金8.3亿美金（约合人民币57.27亿元）收购GaN Systems。GaN Systems是全球GaN主力军之一，尤其是在车用GaN领域，该公司属于先行者。该事件交易金额约为瑞萨电子收购Transphorm的2.4倍，也曾在业内引发广泛关注。（集邦化合物半导体Zac、Matt整理）
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