1月5日，晶升股份公布投资者关系活动记录表，介绍了公司碳化硅（SiC）长晶设备的价格及研发进展。
据介绍，晶升股份8英寸SiC长晶设备目前进展顺利，已通过了客户处的批量验证。价格方面，6英寸SiC长晶设备已大批量出货，价格趋于稳定，相对较低；8英寸SiC长晶设备根据不同设计和配置，价格比6英寸设备高30%至50%左右。
图源：晶升股份
衬底作为SiC产业链中价值量最高的一环，目前正在朝着8英寸的方向发展。而“兵马未动，粮草先行”，设备企业也在不断更新换代，8英寸SiC设备新动态频传。
晶盛机电于2023年6月宣布成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式SiC外延生长设备。据介绍，该设备可兼容6/8英寸SiC外延生产，在6英寸外延设备原有的温度高精度闭环控制、工艺气体精确分流控制等技术基础上，解决了腔体设计中的温场均匀性、流场均匀性等控制难题，实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。
特思迪8英寸SiC全自动减薄设备已投入市场、8英寸双面抛光设备已通过工艺测试进入量产阶段。2023年12月，特思迪完成B轮融资，所获资金将进一步推动公司在技术突破、产能扩充、产品研发、产业布局、人才引进等关键环节的发展进程，加快8英寸SiC等半导体材料磨抛设备的国产化。
电科装备在2023上海国际半导体展览会上发布了最新研制的8英寸SiC外延设备。该设备有三个突破性的指标，分别是采用该设备生产的8英寸生长厚度均匀性小于1.5%、掺杂浓度均匀性小于4%、表面致命缺陷小于0.4个/c㎡。
纳设智能在2023年8月宣布成功研制出8英寸SiC外延设备。该设备具备独特反应腔室设计、可独立控制的多区进气方式以及智能的控制系统，将更好地提高外延片的均匀性，降低外延缺陷及生产中的耗材成本。（集邦化合物半导体 Winter整理）
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