近日，山西烁科晶体有限公司（以下简称烁科晶体）中国电科（山西）碳化硅（SiC）材料产业基地（二期）项目正在进行消防管道、机电安装施工和保温材料安装等，为月底设备进场全力冲刺。
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据介绍，中国电科（山西）SiC材料产业基地二期项目于2023年9月份开始建设，10月份进入主体钢结构施工，11月主体完成封顶，现在已具备设备进厂条件，预计将在今年1月底前开始设备进场，3月可投入试生产，预计2025年投产，投产后年产能可达30万片SiC衬底。
据悉，中国电科（山西）SiC材料产业基地二期项目投资5亿元，主要建设包括单晶生产车间、动力配套等在内的总面积1.6万平方米的综合性厂房。
此前，中国电科（山西）SiC材料产业基地一期项目于2019年4月开工建设，9月主体封顶，12月设备开始搬入，2020年2月实现项目投产。一期项目达产后，将形成年产18万片N型SiC单晶衬底、5万片高纯半绝缘型SiC单晶衬底的产能。
资料显示，烁科晶体成立于2018年，从事第三代半导体材料SiC生产和研发。公司通过自主创新和自主研发掌握了SiC生长装备制造、高纯SiC粉料制备工艺，N型SiC单晶衬底和高纯半绝缘SiC单晶衬底的制备工艺，形成了SiC粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线，并在国内率先完成4、6、8英寸高纯半绝缘SiC单晶衬底技术攻关。
2021年8月，烁科晶体成功研制出8英寸SiC晶体。2022年1月，烁科晶体实现8英寸N型SiC衬底小批量生产，向8英寸国产N型SiC衬底的批量化生产迈出了关键一步。
成立至今，烁科晶体共完成两轮融资，分别是2019年12月的A轮和2023年1月的B轮，投资方分别为中国电科和电科投资。
近年来，中电科在SiC领域动作频频。例如：2023年11月，中电科半导体材料有限公司南京外延材料产业基地宣布正式投产运行。
据悉，中电科半导体材料有限公司南京外延材料产业基地项目于2021年9月27日签约落户南京江宁开发区综合保税区，占地面积约10万平方米。2022年11月，中电科南京外延材料产业基地实现了首片硅外延和SiC外延下线，标志着该产业基地进入试生产和验证阶段。该项目分两期实施，其中一期投资19.3亿元，将建设成立第三代化合物外延材料产业基地等，项目达产后，将形成6-8英寸化合物外延片12.6万片/年的产能。
此外，据中国电科2023年7月消息，随着中国新能源汽车生产量突破2000万辆大关，中国电科国基南方、55所研制的新能源汽车用650V-1200V SiC MOSFET出货量突破1200万只，实现大批量稳定供货。（集邦化合物半导体Zac整理）
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